特許
J-GLOBAL ID：201903003556675947
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-046903
公開番号（公開出願番号）：特開2017-163021
特許番号：特許第6515842号
出願日： 2016年03月10日
公開日（公表日）： 2017年09月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体装置であって、
ガリウムを含む窒化物半導体から形成されたn型半導体領域と、
前記n型半導体領域と接し、前記窒化物半導体から形成されたp型半導体領域と、
前記n型半導体領域とオーミック接触する第1電極と、
前記p型半導体領域とオーミック接触する第2電極と、を備え、
前記第1電極と、前記第2電極とは、同じ金属から主に形成されており、
前記同じ金属は、パラジウム、ニッケル、白金からなる群より選ばれる少なくとも一つの金属であり、
前記n型半導体領域のp型不純物濃度と、前記p型半導体領域のp型不純物濃度は、実質的に同じであり、
前記n型半導体領域において、n型不純物濃度とp型不純物濃度の差は、1.0×1020cm-3以上である、半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 29/12 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
H01L 29/78 652 M
, H01L 21/28 301 B
, H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 652 K
, H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 652 D
, H01L 29/78 658 F
, H01L 29/78 652 B
, H01L 21/28 301 R
