特許

J-GLOBAL ID：201903003639392173

半導体装置および半導体モジュール

発明者： 中村 浩之 ,  岡田 章 ,  野尻 栄治
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-213635
公開番号（公開出願番号）：特開2019-024131
特許番号：特許第6602444号
出願日： 2018年11月14日
公開日（公表日）： 2019年02月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 互いに対向する第1主面および第2主面を有する半導体基板と、 前記半導体基板の前記第1主面の側に規定された素子形成領域と、 前記半導体基板の前記第1主面の側に規定され、前記素子形成領域を取り囲むように配置された終端領域と、 前記素子形成領域に形成されたエミッタ電極と、 前記素子形成領域に形成され、第1領域および第2領域が配置されたゲート電極と、 前記ゲート電極の前記第1領域と前記第2領域とを区切り、かつ、前記ゲート電極を他の領域と区切る仕切り部材と を有し、 前記第1領域は、コンタクトプローブの先端部がスライドする方向に沿う長辺と前記長辺と交差する短辺とを有する矩形状に形成され、 前記第2領域は、前記第1領域の前記長辺側に配置された、半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 29/739 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 21/66 ( 200 6.01) ,  H01L 21/60 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 29/78 652 Q ,  H01L 29/78 655 F ,  H01L 29/78 658 L ,  H01L 21/66 E ,  H01L 21/60 301 N

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 絶縁ゲート型半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-278928   出願人：ローム株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-057720   出願人：エルピーダメモリ株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-356108   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-375927   出願人：株式会社東芝