特許
J-GLOBAL ID：200903051421200717

半導体装置

発明者：
三村 忠昭

三村 忠昭 について

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濱谷 毅

濱谷 毅 について

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水谷 篤人

水谷 篤人 について

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植田 賢治

植田 賢治 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (4件)： 板垣 孝夫 ,  森本 義弘 ,  笹原 敏司 ,  原田 洋平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-356108
公開番号（公開出願番号）：特開2005-252230
出願日： 2004年12月09日
公開日（公表日）： 2005年09月15日
要約：
【課題】 素子上に形成される従来の電極パッドの構造では、電極パッドへのワイヤボンディングによる衝撃荷重の影響で、電極パッド直下の配線や層間絶縁膜にダメージを与える恐れがある。【解決手段】本発明の半導体装置では、外部接続用電極であるパッド部が、最上層に形成された第1のパッドメタル層61と、第1のパッドメタル層61の下に層間絶縁膜71を挟んで形成された第2のパッドメタル層62と、層間絶縁膜71を貫通して第1のパッドメタル層61と第2のパッドメタル層62を電気的に接続するビア63とからなり、第1のパッドメタル層61の端部と第2のパッドメタル層62の端部とが各層の厚み方向に沿って一致しないように互いにずれて配置される。これにより、第2のパッドメタル層62のエッジに発生する応力を小さくすることができ、層間絶縁膜71などのダメージを低減できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
外部接続用電極であるパッド部が、最上層に形成された第1のパッドメタル層と、前記第1のパッドメタル層の下に層間絶縁膜を挟んで形成された第2のパッドメタル層と、前記層間絶縁膜を貫通して第1のパッドメタル層と第2のパッドメタル層を電気的に接続するビアとからなり、前記第1のパッドメタル層の端部と第2のパッドメタル層の端部とが各層の厚み方向に沿って一致しないように互いにずれて配置された半導体装置。
IPC (2件)：
H01L21/3205 ,  H01L21/60
FI (2件)：
H01L21/88 T ,  H01L21/60 301P
Fターム (11件)：
5F033NN34 ,  5F033UU01 ,  5F033VV01 ,  5F033VV07 ,  5F033VV12 ,  5F033XX17 ,  5F033XX19 ,  5F033XX31 ,  5F044EE06 ,  5F044EE11 ,  5F044EE21
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体集積回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-026784   出願人：ローム株式会社
審査官引用 (11件)
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