希土類水素化物の製造方法、水素センサー及び薄膜トランジスター

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (8件)：高島一 , 土井京子 , 鎌田光宜 , 田村弥栄子 , 小池順造 , 當麻博文 , 赤井厚子 , 戸崎富哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-220273
公開番号（公開出願番号）：特開2019-089267
出願日： 2017年11月15日
公開日（公表日）： 2019年06月13日
要約：

【課題】低温(特に、室温)かつ低濃度水素雰囲気下においても希土類水素化物半導体を生成し得る希土類水素化物の製造方法を提供する。【解決手段】希土類元素膜上に白金膜が形成された積層膜を水素を含む雰囲気下で熱処理し、膜中の希土類元素が水素化されて希土類水素化物を生成した膜に転化する、希土類水素化物の製造方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

希土類元素膜上に白金膜が形成された積層膜を水素を含む雰囲気下で熱処理することを含む、希土類水素化物の製造方法。

IPC (5件)：

B32B 9/00 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/477 , C01B 6/00

FI (4件)：

B32B9/00 A , H01L29/78 618A , H01L21/477 , C01B6/00 Z

Fターム (73件)：

4F100AA00A , 4F100AB00A , 4F100AB24B , 4F100AC10 , 4F100AR00C , 4F100AR00D , 4F100AR00E , 4F100BA02 , 4F100BA05 , 4F100BA07 , 4F100BA10A , 4F100BA10B , 4F100BA10C , 4F100EJ42A , 4F100EJ58A , 4F100GB61 , 4F100JG01A , 4F100JG01C , 4F100JG01E , 4F100JG04D , 4F100YY00A , 5F110AA17 , 5F110BB09 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF05 , 5F110FF06 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110FF33 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG24 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK35 , 5F110HK38 , 5F110HK42 , 5F110NN02 , 5F110NN05 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN40 , 5F110QQ11 , 5F110QQ14

引用特許：

審査官引用 (5件)

保護膜を塗布した反射型光スイッチ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-226171 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
スイッチング可能な電磁遮蔽材
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-372010 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
スイッチング装置及びその使用
公報種別：公表公報出願番号：特願平8-536323 出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ

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