特許
J-GLOBAL ID：201903004929116079

表示装置の作製方法

発明者：
小山 潤

小山 潤 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-240409
公開番号（公開出願番号）：特開2019-075576
出願日： 2018年12月24日
公開日（公表日）： 2019年05月16日
要約：
【課題】信号線及び電源線を削減し、高精細な表示を行うことのできる表示装置を提供する。【解決手段】表示装置において、画素109R、画素109G、画素109Bは、それぞれ、第1のトランジスタ111、第2のトランジスタ112、及び発光素子113を有する。画素109R、画素109G、画素109Bは、第1のトランジスタの第1端子が、信号線Skに電気的に接続され、第1のトランジスタの第2端子が、第2のトランジスタのゲートに電気的に接続される。第2のトランジスタの第1端子が、電源線Vkに電気的に接続され、第2のトランジスタの第2端子が、発光素子に電気的に接続される。画素109Rの第1のトランジスタのゲートは、走査線GRjに電気的に接続され、画素109Gの第1のトランジスタのゲートは、走査線GGjに電気的に接続され、画素109Bの第1のトランジスタのゲートは、走査線GBjに電気的に接続されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
複数の画素を有し、 前記画素は、トランジスタ及びEL素子を有し、 前記トランジスタのチャネル形成領域は、In、Ga及びZnを有する酸化物半導体層に設けられ、 前記EL素子を形成する前に、前記酸化物半導体層は、窒素雰囲気下において加熱された後、大気に触れさせることなく加熱温度から100°C以上温度が低下するまで冷却されることを特徴とする表示装置の作製方法。
IPC (8件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/10 ,  H01L 27/32 ,  H05B 33/14 ,  G09F 9/30 ,  G09F 9/00
FI (9件)：
H01L29/78 627F ,  H01L29/78 618B ,  H05B33/14 A ,  H05B33/10 ,  H01L27/32 ,  H05B33/14 Z ,  G09F9/30 338 ,  G09F9/30 365 ,  G09F9/00 338
Fターム (65件)：
3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107CC35 ,  3K107EE04 ,  3K107FF17 ,  3K107GG26 ,  5C094AA05 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094FB02 ,  5C094FB14 ,  5C094GB10 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD07 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE38 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN78 ,  5F110PP02 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ06 ,  5G435AA01 ,  5G435BB05 ,  5G435CC09 ,  5G435HH13 ,  5G435KK05
引用特許：
出願人引用 (4件)
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