複数半導体技術で実装された多段電力増幅器

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：本田淳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-177312
公開番号（公開出願番号）：特開2019-087992
出願日： 2018年09月21日
公開日（公表日）： 2019年06月06日
要約：

【課題】コスト効率がよく高帯域幅を有する多段増幅器を提供する。【解決手段】2段増幅器100は、シリコンドライバ段ICダイ110と最終段ICダイ180とを含む。最終段ICダイは、III-V族半導体基板(例えば、GaN基板)と第1のトランジスタ182とを含む。シリコンドライバ段ICダイは、別のタイプの半導体基板(例えば、シリコン基板)と、第2のトランジスタ140と、第1のトランジスタの制御端子に電気的に結合された1つ以上の二次回路170とを含む。接続(例えば、ワイヤボンドアレイ174または他のDC結合接続)が、シリコンドライバ段ICダイのRF信号出力端子122と最終段ICダイのRF信号入力端子190との間に電気的に結合される。シリコンドライバ段ICダイの二次回路は、最終段バイアス回路および/または最終段高調波制御回路を含み、それらは様々な接続を介して最終段ICダイに電気的に接続される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

III-V族半導体基板、第1の無線周波数(RF)信号入力端子、第1のRF信号出力端子、および第1のトランジスタを含む第1のダイであって、前記第1のトランジスタは、前記第1のRF信号入力端子に電気的に結合された制御端子と、前記第1のRF信号出力端子に電気的に結合された電流導通端子とを有する、第1のダイと、第2のタイプの半導体基板、第2のRF信号入力端子、第2のRF信号出力端子、第1の二次回路、および前記第2のRF信号入力端子と前記第2のRF信号出力端子との間の増幅経路を含む第2のダイであって、前記増幅経路は、制御端子と電流導通端子とを有する第2のトランジスタを含み、前記第2のトランジスタの前記制御端子は前記第2のRF信号入力端子に電気的に結合され、前記第2のトランジスタの前記電流導通端子は前記第2のRF信号出力端子に電気的に結合され、前記第1の二次回路は、前記第1のトランジスタの前記制御端子に電気的に結合され、前記第1の二次回路は、最終段バイアス回路および最終段高調波制御回路から選択される、第2のダイと、前記第2のRF信号出力端子と前記第1のRF信号入力端子との間に電気的に結合される第1の接続とを備える、多段増幅器。

IPC (2件)：

H03F 3/24 , H03F 1/32

FI (2件)：

H03F3/24 , H03F1/32

Fターム (15件)：

5J500AA01 , 5J500AA41 , 5J500AC22 , 5J500AC26 , 5J500AF15 , 5J500AH10 , 5J500AH24 , 5J500AH29 , 5J500AH33 , 5J500AM08 , 5J500AQ02 , 5J500AQ03 , 5J500AQ04 , 5J500AS14 , 5J500NG02

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-307919 出願人：パナソニック株式会社
III族窒化物系高電子移動度トランジスタを含む低雑音増幅器
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-113609 出願人：クリーインコーポレイテッド
差動増幅回路、レギュレータモジュール及びハイパワーアンプ
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-160219 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社

全件表示

前のページに戻る