特許
J-GLOBAL ID：201903006817822151

薄層キャパシタおよび薄層キャパシタの製造方法

発明者：
戸塚 正裕

戸塚 正裕 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (4件)： 大岩 増雄 ,  竹中 岑生 ,  村上 啓吾 ,  吉澤 憲治
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-529316
特許番号：特許第6529675号
出願日： 2018年01月19日
要約：
【要約】 半導体装置のMIMキャパシタもしくはMISキャパシタにおいて、キャパシタの構成要素である上部電極(1)と下部電極(2)間に、非晶質高誘電率絶縁膜(6、6a、6b)と、複数のSiO2等の非晶質高耐圧膜(3、3a、3c)と、非晶質高誘電率緩衝膜(5、5a、5b)とを含む誘電体層を、総膜厚100nm未満の薄層として構成するとともに、この薄層の高信頼化と半導体装置内での占有面積の縮小化のため、前記非晶質高誘電率絶縁膜(6、6a、6b)の特性をリーク電流が大きく耐圧が低いものとした。
請求項（抜粋）：
【請求項1】上部電極と下部電極との間に、複数の電気特性の異なる誘電体膜を積層した総膜厚が100nm未満の誘電体層が配置された半導体装置における薄層キャパシタであって、 前記誘電体層は、 中央部分に配置され、 窒化ケイ素の持つ誘電率より高い誘電率を有する誘電体膜であって3MV/cm未満の耐圧を有する非晶質高誘電率絶縁膜と、この非晶質高誘電率絶縁膜を挟む誘電体膜であって8MV/cm以上の耐圧を有し、窒化シリコン(SixNy)、酸化シリコン(SixOy)、酸窒化シリコン(SixOyNz)の中から選択された材料で構成された非晶質高耐圧膜と、を有する中央部誘電体層、 および、 前記中央部誘電体層の外側に配置され、 前記上部電極および前記下部電極のいずれか1つまたは双方に接し、窒化ケイ素の持つ誘電率より高い誘電率を有する誘電体膜であって3MV/cm未満の耐圧を有する非晶質高誘電率緩衝膜、 を備えたことを特徴とする薄層キャパシタ。
IPC (2件)：
H01G 4/33 ( 200 6.01) ,  H01G 4/30 ( 200 6.01)
FI (4件)：
H01G 4/33 102 ,  H01G 4/30 541 ,  H01G 4/30 544 ,  H01G 4/30 547
引用特許：
審査官引用 (4件)
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