特許

J-GLOBAL ID：201903008164048601

銅配線のためのシード層

発明者： ウー, チーユアン ,  ツェン, モン チュー ,  ナイク, メフル ビー. ,  シュー, ペンリー
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 園田・小林特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-154364
公開番号（公開出願番号）：特開2019-062190
出願日： 2018年08月21日
公開日（公表日）： 2019年04月18日
要約：

【課題】改善されたマイグレーション防止特性を有する銅シード層を形成する方法を提供する。【解決手段】方法は、特徴の中にバリア層を形成後第1の銅層を形成すること、特徴の中の第1の銅層の上にルテニウム層を形成すること及び特徴の中のルテニウム層の上に第2の銅層を形成することを含む。ルテニウム層は、特徴の中の所定の場所の下に銅層を実質的に固定し、銅層の物理的なマイグレーションを実質的に防止する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

材料層に形成された開口部を有するパターン形成された表面を備える基板を、第1の処理チャンバ内に配置することと、 前記開口部の壁に第1の銅層を形成すること、前記第1の銅層の上にルテニウム層を形成すること、前記ルテニウム層の上に第2の銅層を形成することを含む、前記開口部の前記壁にシード層を形成することと、 を含む、配線構造を形成する方法。

IPC (3件)：

H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/532

FI (1件)：

H01L21/88 R

Fターム (23件)：

5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH22 ,  5F033HH23 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM13 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033WW02 ,  5F033XX05 ,  5F033XX08

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 膜形成のための前駆体およびルテニウム含有膜を形成するための方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2007-532987   出願人：レール・リキード-ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
• 銅化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-100611   出願人：株式会社ADEKA
• ルテニウム錯体有機溶媒溶液を用いたルテニウム含有膜製造方法、及びルテニウム含有膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-065550   出願人：東ソー株式会社
• 銅めっきされた高アスペクト比のビア、及びその製造する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-268013   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 配線形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-219469   出願人：東京エレクトロン株式会社