特許
J-GLOBAL ID：201203014398596341

配線形成方法

発明者：
石坂 忠大

石坂 忠大 について

, 
戸島 宏至

戸島 宏至 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-219469
公開番号（公開出願番号）：特開2012-074608
出願日： 2010年09月29日
公開日（公表日）： 2012年04月12日
要約：
【課題】下層配線層と配線シード層との密着性を低下させないで高く維持することが可能な配線形成方法を提供する。【解決手段】下層配線層4と絶縁性バリヤ層6と層間絶縁膜8と上層配線層が順次積層された被処理体に対して上層配線層と、連通配線層16とを形成する配線形成方法において、絶縁性バリヤ層を残した状態で連通ホール9Bを形成し、連通ホール内に犠牲膜を埋め込み、トレンチ9Aを形成するパターンマスク62を形成する前処理工程と、トレンチを形成するトレンチ形成工程と、犠牲膜60とパターンマスクとをアッシングするアッシング工程と、トレンチ内と連通ホール内に熱処理によりバリヤ層10を形成するバリヤ層形成工程と、異方性エッチングにより連通ホールの底部のバリヤ層と絶縁性バリヤ層とを除去する異方性エッチング工程と、配線シード層12を形成する配線シード層形成工程とを有する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
被処理体上に下層配線層と絶縁性バリヤ層と層間絶縁膜と上層配線層が順次積層され、前記層間絶縁膜内に形成する連通ホール内に金属膜を埋め込んで前記上層配線層と前記下層配線層とを導通させる連通配線層を形成する配線形成方法において、 前記絶縁性バリヤ層を残した状態で前記連通ホール内に犠牲膜を埋め込むと共に、前記層間絶縁膜内に前記上層配線層用のトレンチを形成するために前記犠牲膜上にフォトレジストによりパターンマスクを形成する前処理工程と、 真空処理室内で前記パターンマスクをマスクとして前記被処理体に対してドライエッチング処理を施すことにより前記層間絶縁膜に前記トレンチを形成するトレンチ形成工程と、 真空処理室内で前記犠牲膜と前記パターンマスクとをアッシングして除去するアッシング工程と、 真空処理室内で前記トレンチ内の表面と前記連通ホール内の表面とを含む表面全体にALD又はCVD処理によりバリヤ層を形成するバリヤ層形成工程と、 真空処理室内で異方性ドライエッチングを施すことにより前記連通ホールの底部に形成されている前記バリヤ層と前記絶縁性バリヤ層とを除去して前記下層配線層を露出させる異方性ドライエッチング工程と、 真空処理室内で前記トレンチ内の表面と前記連通ホール内の表面とを含む表面全体に配線シード層を形成する配線シード層形成工程と、 を有することを特徴とする配線形成方法。
IPC (1件)：
H01L 21/768
FI (1件)：
H01L21/90 A
Fターム (56件)：
5F033GG01 ,  5F033GG02 ,  5F033GG03 ,  5F033GG04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH31 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ31 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK11 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN05 ,  5F033NN07 ,  5F033PP02 ,  5F033PP03 ,  5F033PP06 ,  5F033PP11 ,  5F033PP12 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR01 ,  5F033RR29 ,  5F033XX13
引用特許：
審査官引用 (8件)
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