特許
J-GLOBAL ID：201903009499814046
SiC半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-221185
公開番号（公開出願番号）：特開2018-081944
特許番号：特許第6594286号
出願日： 2016年11月14日
公開日（公表日）： 2018年05月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 (a)SiCウエハと前記SiCウエハを載置した前記SiCウエハより大口径のアダプタとからなる複数の単位処理物を用意する工程と、
(b)前記複数の単位処理物を成膜装置のロードロック室にセットする工程と、
(c)前記複数の単位処理物の一つを前記ロードロック室から前記成膜装置の成膜室に搬送し、前記成膜室で前記SiCウエハに電極材料を成膜した後、前記成膜室から前記ロードロック室に戻す工程と、
(d)前記複数の単位処理物の別の一つを前記ロードロック室から前記成膜装置の成膜室に搬送し、前記成膜室で前記SiCウエハに電極材料を成膜した後、前記成膜室から前記ロードロック室に戻す工程と、を備え、
前記複数の単位処理物の夫々の前記SiCウエハに前記電極材料を成膜するまで前記工程(d)を繰り返す、
SiC半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/285 ( 200 6.01)
, C23C 14/34 ( 200 6.01)
, H01L 21/203 ( 200 6.01)
, H01L 21/683 ( 200 6.01)
, H01L 21/673 ( 200 6.01)
H01L 21/285 S
, C23C 14/34 J
, H01L 21/203 S
, H01L 21/68 N
, H01L 21/68 U
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (12件)
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