特許
J-GLOBAL ID：201903009700571491
窒化物半導体基板、窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板の製造装置及び窒化物半導体デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
新居 広守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-198914
公開番号（公開出願番号）：特開2019-073402
出願日： 2017年10月12日
公開日（公表日）： 2019年05月16日
要約：
【課題】III族極性と窒素極性の極性反転構造を有し、表面が平坦でかつ高品質の結晶層が形成された窒化物半導体基板等を提供する。【解決手段】窒化物半導体基板1は、サファイア基板2の表面に、AlNで表わされる窒化アルミニウムの結晶粒の集合体からなる窒化アルミニウム結晶層3を有し、窒化アルミニウム結晶層3内に、III族極性と窒素極性との極性反転層構造をサファイア基板2の表面と平行方向に有する。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
サファイア、炭化ケイ素および窒化アルミニウム、シリコンの一つからなる基板の表面に、AlxGayIn(1-x-y)N(0≦x≦1、0≦y≦1、(x+y)≦1)で表わされるIII族窒化物半導体の結晶粒の集合体からなるIII族窒化物半導体結晶層を有し、前記III族窒化物半導体結晶層内に、III族極性と窒素極性との極性反転層構造を前記基板の表面と平行方向に有する
窒化物半導体基板。
IPC (3件)：
C30B 29/38
, C30B 33/06
, G02F 1/377
C30B29/38 C
, C30B33/06
, G02F1/377
2K102AA08
, 2K102BA18
, 2K102BB02
, 2K102BC01
, 2K102CA28
, 2K102DA04
, 2K102DA20
, 2K102DD03
, 4G077AA02
, 4G077AB02
, 4G077BE13
, 4G077BE15
, 4G077DA11
, 4G077DB01
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077FF07
, 4G077HA02
, 4G077SA04
, 4G077SB01
, 4G077TA04
, 4G077TB03
, 4G077TB05
, 4G077TK01
, 4G077TK06
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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