特許

J-GLOBAL ID：201903010502277233

半導体装置

発明者： 舛岡 富士雄 ,  中村 広記
出願人/特許権者： ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド
代理人 (5件)： 田中 伸一郎 ,  大塚 文昭 ,  西島 孝喜 ,  須田 洋之 ,  上杉 浩
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-039872
公開番号（公開出願番号）：特開2016-129247
特許番号：特許第6527831号
出願日： 2016年03月02日
公開日（公表日）： 2016年07月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 1017cm-3以下の不純物濃度のシリコンからなる柱状半導体と、 前記柱状半導体の側面を囲む第1の絶縁物と、 前記柱状半導体の一端の前記第1の絶縁物の周囲を取り囲む第1の金属と、 前記柱状半導体の他方の一端の前記第1の絶縁物の周囲を取り囲む第2の金属と、 前記第1の金属と前記第2の金属とに挟まれた領域で前記第1の絶縁物を取り囲む第3の金属とを有し、 前記第1の金属と前記第3の金属とは電気的に絶縁しているのであって、 前記第2の金属と前記第3の金属とは電気的に絶縁しているのであって、 前記第1の金属と前記柱状半導体の一端とは電気的に接続しているのであって、 前記第2の金属と前記柱状半導体の他方の一端とは電気的に接続しているのであって、 前記第1の金属と前記第2の金属の仕事関数は4.0eVから4.2eVの間であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 29/78 301 S ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 X ,  H01L 21/28 301 R

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特許第6891234号
  
• 特許第6891234号
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-006183   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-151177   出願人：舛岡富士雄, シャープ株式会社