特許
J-GLOBAL ID：201903010762371390
有機薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタの製造方法、有機薄膜トランジスタ用材料、有機薄膜トランジスタ用組成物、有機半導体膜、化合物
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (4件)：
渡辺 望稔
, 三和 晴子
, 伊東 秀明
, 三橋 史生
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-532484
特許番号：特許第6561123号
出願日： 2016年07月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 一般式(1)で表される化合物を含有する有機半導体膜を有する、有機薄膜トランジスタ。
前記一般式(1)中、R1およびR2はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アルキニル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基またはヘテロアリール基を表す。
R3、R4、R5、R6、R7およびR8はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アルキニル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン原子、ニトロ基またはシアノ基を表す。R3とR4は、環を形成してもよい。R5とR6は、環を形成していてもよい。
Zは、フラン環、チオフェン環、セレノフェン環またはテルロフェン環である。
X1、X2、X3およびX4はそれぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、セレン原子またはテルル原子を表す。X1〜X4のうち少なくとも1つは、硫黄原子またはセレン原子である。
IPC (5件)：
H01L 51/30 ( 200 6.01)
, H01L 51/05 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, C07D 495/22 ( 200 6.01)
H01L 29/28 250 H
, H01L 29/28 100 A
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 618 A
, C07D 495/22 CSP
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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