特許

J-GLOBAL ID：201903011494266525

アンテナスイッチとダイプレクサのモノリシックな集積

発明者： シチュン・グ ,  チェンジエ・ズオ ,  スティーヴ・ファネリ ,  トーマス・ジー ,  ヨン・キュ・ソン
出願人/特許権者： クアルコム,インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 村山 靖彦 ,  黒田 晋平
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-534945
公開番号（公開出願番号）：特表2019-508878
出願日： 2016年11月29日
公開日（公表日）： 2019年03月28日
要約：

集積無線周波数(RF)回路構造体は、抵抗性基板材とスイッチとを含んでもよい。このスイッチは、抵抗性基板材によって支持されるシリコンオンインシュレータ(SOI)層内に配置されてもよい。集積RF回路構造体はまた、SOI層に結合された分離層を含んでもよい。集積RF回路構造体は、インダクタとキャパシタとで構成されたフィルタをさらに含んでもよい。このフィルタは、抵抗性基板材とは反対側の集積RF回路構造体の表面上に配置されてもよい。さらに、スイッチは、分離層の第1の表面上に配置されてもよい。

請求項（抜粋）：

集積無線周波数回路構造体であって、 抵抗性基板材と、 前記抵抗性基板材によって支持されるシリコンオンインシュレータ層内のスイッチと、 前記シリコンオンインシュレータ層に結合された分離層と、 インダクタおよびキャパシタを備え、前記抵抗性基板材とは反対側の前記集積無線周波数回路構造体の表面上に配置されたフィルタとを備え、 前記スイッチが前記分離層の第1の表面上に配置されている、集積無線周波数回路構造体。

IPC (7件)：

H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H03H 7/01 ,  H04B 1/38 ,  H04B 1/00

FI (9件)：

H01L27/04 A ,  H01L27/04 H ,  H01L27/04 C ,  H01L27/04 E ,  H01L27/06 102A ,  H03H7/01 Z ,  H04B1/38 ,  H04B1/00 257 ,  H04B1/00 260

Fターム (25件)：

5F038AC05 ,  5F038AC07 ,  5F038AZ04 ,  5F038BE07 ,  5F038BH10 ,  5F038CA16 ,  5F038CD15 ,  5F038DF03 ,  5F038EZ07 ,  5F038EZ19 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA01 ,  5F048AC10 ,  5F048BA16 ,  5F048BF12 ,  5F048BF16 ,  5J024AA01 ,  5J024DA01 ,  5J024DA25 ,  5J024DA35 ,  5J024EA01 ,  5J024EA07 ,  5K011AA06 ,  5K011DA02 ,  5K011DA27

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 半導体集積回路およびそれを内蔵した高周波モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-057033   出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
• 絶縁層および第2の層を有する積層されたチップセットおよびそれを形成する方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2014-542512   出願人：クアルコム,インコーポレイテッド
• スタンダードセルまたはマクロセルを含む半導体集積回路、およびその配置配線方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-021833   出願人：株式会社リコー
• 高Qのウェハ裏面のキャパシタを有する半導体集積回路デバイス(集積回路デバイスおよび集積回路デバイスを形成する方法)
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2009-512548   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 電力増幅器のためのチューナブル・ノッチフィルタを備えたインピーダンス整合回路
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2014-553543   出願人：クゥアルコム・インコーポレイテッド
• スタンダードセルまたはマクロセルを含む半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-017624   出願人：株式会社リコー