特許
J-GLOBAL ID：200903040871009780

スタンダードセルまたはマクロセルを含む半導体集積回路

発明者：
市宮 淳次

市宮 淳次 について

, 
吉岡 圭一

吉岡 圭一 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (3件)： 田中 光雄 ,  田村 恭生 ,  石野 正弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-017624
公開番号（公開出願番号）：特開2007-165922
出願日： 2007年01月29日
公開日（公表日）： 2007年06月28日
要約：
【課題】本発明は、高周波成分の電源ノイズを排除するために、残留インダクタンスが小さく、面積を拡大させることなく、しかも十分な容量を与えるバイパスコンデンサを含む機能スタンダードセルおよびこれを有する半導体集積回路を提供することを目的とする。【解決手段】本発明に係る1つの態様によれば、多層配線層を有するスタンダードセルまたはマクロセルを少なくとも1つ含む半導体集積回路であって、半導体基板の上方に形成された、少なくとも1層からなる信号配線層と、信号配線層の上方に形成された3端子コンデンサとを備え、3端子コンデンサは、電源配線層と、絶縁層を介して電源配線層を挟む第1および第2の接地配線層とを有し、機能回路素子は、電源配線層および第1の接地配線層から電源供給を受ける半導体集積回路を提供することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
多層配線層を有するスタンダードセルまたはマクロセルを少なくとも1つ含む半導体集積回路であって、 半導体基板の上方に形成された、少なくとも1層からなる信号配線層と、 信号配線層の上方に形成された3端子コンデンサとを備え、 3端子コンデンサは、電源配線層と、絶縁層を介して電源配線層を挟む第1および第2の接地配線層とを有し、 機能回路素子は、電源配線層および第1の接地配線層から電源供給を受けることを特徴とする半導体集積回路。
IPC (3件)：
H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/82
FI (4件)：
H01L27/04 C ,  H01L27/04 D ,  H01L21/82 B ,  H01L21/82 L
Fターム (33件)：
5F038AC05 ,  5F038AC09 ,  5F038AC15 ,  5F038BH03 ,  5F038BH10 ,  5F038BH19 ,  5F038CA17 ,  5F038CD02 ,  5F038CD09 ,  5F038CD14 ,  5F038EZ09 ,  5F038EZ20 ,  5F064AA04 ,  5F064AA06 ,  5F064BB03 ,  5F064BB04 ,  5F064BB05 ,  5F064BB06 ,  5F064BB07 ,  5F064CC12 ,  5F064CC23 ,  5F064DD02 ,  5F064DD25 ,  5F064DD31 ,  5F064EE02 ,  5F064EE23 ,  5F064EE27 ,  5F064EE43 ,  5F064EE45 ,  5F064EE47 ,  5F064EE52 ,  5F064HH06 ,  5F064HH12
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • CMOS演算増幅器
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-196724   出願人：セイコーエプソン株式会社
審査官引用 (7件)
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