特許

J-GLOBAL ID：201903012350711504

金属膜の製造方法

発明者： 徳 悠葵 ,  巨 陽 ,  杉浦 弘太郎
出願人/特許権者： 国立大学法人名古屋大学
代理人 (3件)： 藤谷 修 ,  一色 昭則 ,  角谷 智広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-089960
公開番号（公開出願番号）：特開2019-196509
出願日： 2018年05月08日
公開日（公表日）： 2019年11月14日
要約：

【課題】基材上に形成した金属膜の密着性を向上させること。【解決手段】まず、基材1上にスパッタ法により金属膜2を形成する。次に、金属膜2に電流密度が100A/mm2以上の交流電流を10〜30分間印加する。これにより、金属膜2中の原子は電子風力によって拡散を誘起される。交流電流であるため、原子は一方向に拡散されることなく、等方的な拡散が誘起される。この原子拡散により、原子の再配列が生じ、金属膜2の成膜時に生じたボイドなどの欠陥が修復される。その結果、基材1と金属膜2とが接する領域が増加し、基材1と金属膜2との密着性が向上する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基材上に金属膜を形成する工程と、 前記金属膜に電流密度が100A/mm2以上の交流電流を10〜30分間印加する工程と、 を有することを特徴とする金属膜の製造方法。

IPC (2件)：

C23C 14/58 ,  C23C 26/00

FI (2件)：

C23C14/58 Z ,  C23C26/00 B

Fターム (18件)：

4K029AA04 ,  4K029AA08 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA05 ,  4K029BD02 ,  4K029BD06 ,  4K029CA05 ,  4K029DC34 ,  4K029GA00 ,  4K044AA12 ,  4K044AA13 ,  4K044AA16 ,  4K044AB02 ,  4K044BA08 ,  4K044BB01 ,  4K044BC05 ,  4K044CA13

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 電子部品及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-230963   出願人：株式会社東芝
• 電流駆動導電性材料評価方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-148831   出願人：大見忠弘
• 半導体装置の製造装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-075195   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置の試験方法及び試験装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-130404   出願人：富士通株式会社
• 特開昭54-094695
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Self-Stressing Test Structures Used for High-Frequency Electromigration