半導体製造プロセスチャンバの操作方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人谷・阿部特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-245836
公開番号（公開出願番号）：特開2019-057737
出願日： 2018年12月27日
公開日（公表日）： 2019年04月11日
要約：

【課題】本発明は、低EHS及びGWPを有するクリーン又はエッチングガス混合物を提供し、その結果、未反応ガスが放出された場合でも、これらの環境への影響は低減される。【解決手段】半導体製造プロセスチャンバの操作方法である。前記方法は、1,1,1,4,4,4-ヘキサフルオロ-2-ブチンである第1のフルオロオレフィンを含むエッチングガスを使用して半導体上のフィルムをエッチングする工程を含む。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

半導体製造プロセスチャンバの操作方法であって、1,1,1,4,4,4-ヘキサフルオロ-2-ブチンである第1のフルオロオレフィンを含むエッチングガスを使用して半導体上のフィルムをエッチングする工程を含む、方法。

IPC (1件)：

H01L 21/306

FI (1件)：

H01L21/302 101H

Fターム (14件)：

5F004AA14 , 5F004BA03 , 5F004CA02 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA02 , 5F004DA03 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DA25 , 5F004DB03 , 5F004DB07 , 5F004DB12 , 5F004DB19

引用特許：

審査官引用 (5件)

プラズマ処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-319316 出願人：東京エレクトロン株式会社
プラズマエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-002397 出願人：ソニー株式会社
ドライエッチング方法、ドライエッチングガス及びパーフルオロ-2-ペンチンの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-208604 出願人：日本ゼオン株式会社

全件表示

前のページに戻る