特許
J-GLOBAL ID：201903014807277034
炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 昭徳
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-165171
公開番号（公開出願番号）：特開2017-139440
特許番号：特許第6472776号
出願日： 2016年08月25日
公開日（公表日）： 2017年08月10日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 炭化珪素基板のおもて面に設けられた第1導電型の第1エピタキシャル成長層と、
前記第1エピタキシャル成長層の、前記炭化珪素基板側に対して反対側に設けられた第2導電型の第2エピタキシャル成長層と、
前記第2エピタキシャル成長層の内部に選択的に設けられた、前記第2エピタキシャル成長層よりも不純物濃度の高い第2導電型の第1半導体領域と、
前記第2エピタキシャル成長層の内部の、前記第1半導体領域よりも浅い位置に選択的に設けられた第1導電型の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域、前記第1半導体領域および前記第2エピタキシャル成長層を貫通して前記第1エピタキシャル成長層に達するトレンチと、
前記トレンチの内部にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、
前記第2半導体領域および前記第2エピタキシャル成長層に接する第1電極と、
炭化珪素基板の裏面に設けられた第2電極と、
を備え、
前記第1半導体領域は、前記第2エピタキシャル成長層よりも不純物濃度の高いピークで深さ方向に高低差をもつ山型の第2導電型不純物濃度プロファイルを有し、
前記第2半導体領域と前記第1エピタキシャル成長層との間のチャネル長は、0.3μm以上1μm以下であり、
前記第1半導体領域は、前記第2半導体領域および前記第1エピタキシャル成長層と離して、前記炭化珪素基板のおもて面に平行な方向に一様に設けられており、
前記第1半導体領域と前記第2半導体領域との間、および、前記第1半導体領域と前記第1エピタキシャル成長層との間が、前記第1半導体領域よりも不純物濃度の低い第2導電型領域であることを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 29/12 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
H01L 29/78 652 E
, H01L 29/78 652 C
, H01L 29/78 652 H
, H01L 29/78 652 J
, H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 658 A
