ナノワイヤ光デバイス

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山川茂樹 , 小池勇三 , 山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-241535
公開番号（公開出願番号）：特開2019-110180
出願日： 2017年12月18日
公開日（公表日）： 2019年07月04日
要約：

【課題】プラズモニック構造において、損失を増やさずに、光閉じ込め係数が改善できるようにする。【解決手段】金属から構成された構造体101と、構造体101の上に配置された半導体からなるナノワイヤ部102と、ナノワイヤ部102の表面に形成された誘電体層103とを備える。ナノワイヤ部102は、接触領域121において側面が構造体101の上に接している。ナノワイヤ部102は、ナノワイヤ部102を伝搬する光のプラズモニックモード(ハイブリッドモード)が出現可能な太さ(直径)とされている。【選択図】図1B

請求項（抜粋）：

金属から構成された構造体と、前記構造体の上に側面が接して配置された半導体からなるナノワイヤ部と、前記構造体と前記ナノワイヤ部との接触領域以外の前記構造体に面した前記ナノワイヤ部の表面に形成された誘電体層とを備え、前記ナノワイヤ部は、前記ナノワイヤ部を伝搬する光のプラズモニックモードが出現可能な太さとされていることを特徴とするナノワイヤ光デバイス。

IPC (7件)：

H01S 5/323 , G02F 1/01 , G02B 6/122 , H01S 3/16 , B82Y 20/00 , B82Y 40/00 , H01L 33/06

FI (7件)：

H01S5/323 , G02F1/01 F , G02B6/122 , H01S3/16 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , H01L33/06

Fターム (44件)：

2H147AB05 , 2H147AC12 , 2H147BA10 , 2H147BA12 , 2H147BC03 , 2H147BC05 , 2H147CA08 , 2H147CB03 , 2H147EA10B , 2H147EA10D , 2H147EA12A , 2H147EA14B , 2H147EA14C , 2H147EA15B , 2H147FA01 , 2H147FC05 , 2H147FD20 , 2H147GA00 , 2H147GA19 , 2K102AA40 , 2K102BA01 , 2K102BA11 , 2K102BA18 , 2K102BB01 , 2K102BB02 , 2K102DA08 , 2K102DA16 , 2K102DD03 , 2K102DD08 , 2K102DD10 , 5F172AE26 , 5F172AF20 , 5F172AL10 , 5F172EE01 , 5F173AA40 , 5F173AH01 , 5F173AL10 , 5F173AL13 , 5F173AR26 , 5F241AA03 , 5F241CA02 , 5F241CA05 , 5F241CA10 , 5F241CA34

引用特許：

審査官引用 (5件)

微小集光導波路
公報種別：公開公報出願番号：特願2014-187323 出願人：日本電信電話株式会社
プラズモン薄膜レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-027114 出願人：日本電信電話株式会社, 国立大学法人東京工業大学
表面プラズモンによる電界増強方法及びデバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-074667 出願人：FDK株式会社

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