特許
J-GLOBAL ID：200903047278772294
表面プラズモンによる電界増強方法及びデバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
茂見 穰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-074667
公開番号（公開出願番号）：特開2006-259064
出願日： 2005年03月16日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：
【課題】 表面プラズモンポラリトンにより電界を増強すること、及びそれによって光増幅や発光の効率を向上させることである。【解決手段】 金属層10と誘電体層12が積層され、前記金属層の誘電体層と接する面に、多数の微小な凸部11が微細な周期で配列されて1次元もしくは2次元の回折格子が形成され、励起光の入射により前記回折格子近傍で表面プラズモンを励起して、光の局在化により電界を増強するようにする。回折格子は、励起光の実効波長程度以下の微細な周期を有する。微小な凸部の高さは、1〜50nmとするのがよい。2次元格子配列としては、正方格子または三角格子を用いることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
金属もしくは半導体と誘電体との界面に微細な周期構造を有し、励起光の入射により前記周期構造近傍で表面プラズモンを励起して、光の局在化により電界を増強することを特徴とする表面プラズモンによる電界増強方法。
IPC (3件)：
G02F 1/01
, H01S 3/06
, H01S 3/091
G02F1/01 Z
, H01S3/06 A
, H01S3/091
2H079AA08
, 2H079BA01
, 2H079BA04
, 2H079CA24
, 2H079KA08
, 5F172AF03
, 5F172AL05
, 5F172AM05
, 5F172AM09
出願人引用 (1件)
審査官引用 (14件)
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