特許
J-GLOBAL ID：200903083678640512
発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山川 政樹
, 黒川 弘朗
, 山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-150085
公開番号（公開出願番号）：特開2006-332137
出願日： 2005年05月23日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：
【課題】シリコンからなる発光素子により、高効率で高い発光強度が得られるようにする。【解決手段】シリコン細線コア102にスロット121が形成され、スロット121の内部に活性層122が配置されている。スロット121は、シリコン細線コア102の延在方向(光の導波方向)に延在して設けられ、長辺の長さがLの平面視長方形に形成されている。例えば、スロット121の最も広い部分の幅Gは、0.05μmに形成され、シリコン細線コア102の幅Wは、0.41μmに形成され、シリコン細線コア102の高さHは、0.3μmに形成されている。また、活性層122は、例えばエルビウムなどの希土類元素のイオンが添加(分散)された酸化シリコンから構成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
下部クラッド層と、
この下部クラッド層の上に形成されてたシリコンからなるコアと、
前記コアから構成された導波路の光入射端と、
前記コアの一部に前記コアの上面より光の導波方向に延在して形成されたスロットと、
このスロット内部に形成されて発光部質を含む活性層と、
前記導波路の光出射端と
を少なくとも備え、
前記導波路は、シングルモード導波路であり、
前記スロットの幅は、高々0.1μmである
ことを特徴とする発光素子。
IPC (4件)：
H01S 3/06
, H01S 3/083
, H01S 3/105
, H01S 3/091
H01S3/06 A
, H01S3/083
, H01S3/1055
, H01S3/091
5F172AE26
, 5F172AF03
, 5F172AL05
, 5F172AM05
, 5F172AM06
, 5F172AM09
, 5F172CC04
審査官引用 (17件)
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平面導波路型光増幅器
公報種別：公開公報
出願番号：特願平4-219027
出願人：富士通株式会社
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光増幅装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平4-143644
出願人：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
-
特開平4-149412
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