特許
J-GLOBAL ID：201903016070919253

窒化物結晶基板の製造方法、窒化物結晶基板および結晶成長用基板

発明者：
吉田 丈洋

吉田 丈洋 について


出願人/特許権者：
株式会社サイオクス

株式会社サイオクス について

, 
住友化学株式会社

住友化学株式会社 について


代理人 (2件)： 福岡 昌浩 ,  橘高 英郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-034763
公開番号（公開出願番号）：特開2019-147726
出願日： 2018年02月28日
公開日（公表日）： 2019年09月05日
要約：
【課題】結晶成長用基板を大径化させ、これを用いて結晶性が良好な窒化物結晶基板を製造する。【解決手段】結晶成長用基板作製工程と結晶膜成長工程とを有する窒化物結晶基板の製造方法であって、結晶成長用基板作製工程は、III族窒化物の単結晶からなる複数の種結晶基板を配置する工程と、種結晶基板の主面の法線に沿った方向の成長レートが種結晶基板の主面に沿った方向の成長レートよりも高い第1成長条件下で、複数の種結晶基板のそれぞれの主面上および側面にIII族窒化物の単結晶からなる第1層をエピタキシャル成長させ、隣り合う種結晶基板の側面同士を第1層により接合する工程と、種結晶基板の主面の法線に沿った方向の成長レートが種結晶基板の主面に沿った方向の成長レート以下である第2成長条件下で、第1層上にIII族窒化物の単結晶からなる第2層をエピタキシャル成長させる工程と、を有し、結晶膜成長工程では、結晶成長用基板上に、III族窒化物の単結晶からなる結晶膜を成長させる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
結晶成長用基板を作製する工程と、 前記結晶成長用基板上に単結晶からなる結晶膜を成長させる工程と、 を有する窒化物結晶基板の製造方法であって、 前記結晶成長用基板を作製する工程は、 III族窒化物の単結晶からなる複数の種結晶基板を、それらの主面が互いに平行となり、隣り合う側面同士が対向するように配置する工程と、 前記種結晶基板の前記主面の法線に沿った方向の成長レートが前記種結晶基板の前記主面に沿った方向の成長レートよりも高い第1成長条件下で、前記複数の種結晶基板のそれぞれの前記主面上および前記側面にIII族窒化物の単結晶からなる第1層をエピタキシャル成長させ、隣り合う種結晶基板の側面同士を前記第1層により接合する工程と、 前記種結晶基板の前記主面の法線に沿った方向の成長レートが前記種結晶基板の前記主面に沿った方向の成長レート以下である第2成長条件下で、前記第1層上にIII族窒化物の単結晶からなる第2層をエピタキシャル成長させる工程と、 を有し、 前記結晶膜を成長させる工程では、 前記結晶成長用基板を加熱し、該加熱された結晶成長用基板上にIII族原料および窒化剤を供給し、III族窒化物の単結晶からなる前記結晶膜を成長させる 窒化物結晶基板の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/304
FI (4件)：
C30B29/38 D ,  C30B25/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304 601Z
Fターム (45件)：
4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EA02 ,  4G077ED04 ,  4G077EF01 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB04 ,  4G077TC06 ,  4G077TC12 ,  4G077TC14 ,  4G077TK04 ,  5F045AA06 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AE25 ,  5F045AF04 ,  5F045AF11 ,  5F045BB12 ,  5F045BB13 ,  5F045DA67 ,  5F045DP09 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ08 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF02 ,  5F045EK06 ,  5F045EM10 ,  5F045GH08 ,  5F045GH09 ,  5F057AA12 ,  5F057BA11 ,  5F057BB06 ,  5F057CA16 ,  5F057DA20 ,  5F057DA22
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM