特許

J-GLOBAL ID：201703013114159339

窒化物結晶基板の製造方法および結晶成長用基板

発明者： 森 勇介 ,  吉村 政志 ,  今出 完 ,  今西 正幸 ,  柴田 真佐知 ,  吉田 丈洋
出願人/特許権者： 国立大学法人大阪大学 ,  株式会社サイオクス ,  住友化学株式会社
代理人 (4件)： 福岡 昌浩 ,  阿部 廣美 ,  橘高 英郎 ,  白鳥 昌宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-092450
公開番号（公開出願番号）：特開2017-200858
出願日： 2016年05月02日
公開日（公表日）： 2017年11月09日
要約：

【課題】 大径化された結晶成長用基板を用いて良質な窒化物結晶基板を製造する。【解決手段】 主面が互いに平行となり、側面が互いに当接するように平面状に配置された窒化物結晶からなる複数の種結晶基板を備え、複数の種結晶基板の中から任意に選択された隣接する種結晶基板間における格子定数の差が7×10-5Å以内である結晶成長用基板を用意する第1工程と、結晶成長用基板が有する下地面上に結晶膜を成長させる第2工程と、を有する。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

主面が互いに平行となり、側面が互いに当接するように平面状に配置された窒化物結晶からなる複数の種結晶基板を備え、複数の前記種結晶基板の中から任意に選択された隣接する種結晶基板間における格子定数の差が7×10-5Å以内である結晶成長用基板を用意する第1工程と、 前記結晶成長用基板が有する下地面上に結晶膜を成長させる第2工程と、 を有する窒化物結晶基板の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/20

FI (2件)：

C30B29/38 D ,  C30B25/20

Fターム (13件)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE05 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB04 ,  4G077TK02 ,  4G077TK06 ,  4G077TK08

引用特許：

審査官引用 (3件)

• III族窒化物結晶およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-204979   出願人：住友電気工業株式会社
• III族窒化物結晶の成長方法およびIII族窒化物結晶基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-141775   出願人：住友電気工業株式会社
• III族窒化物基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-108255   出願人：株式会社サイオクス