特許
J-GLOBAL ID:201903016185356872
成膜方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-030105
公開番号(公開出願番号):特開2019-142756
出願日: 2018年02月22日
公開日(公表日): 2019年08月29日
要約:
【課題】フッ素をドーパントとして含む酸化ガリウム膜を好適に形成する方法の提供。【解決手段】フッ素がドープされた酸化ガリウム膜を基体70上に形成する成膜方法であって、基体70を加熱しながら、ガリウム化合物とフッ素化合物が溶解した溶液60のミスト62を基体70の表面に供給する工程を有する成膜方法。フッ素化合物が、フッ素と水素を含む化合物である成膜方法。ガリウム化合物が、塩化ガリウムである成膜方法。溶液60に溶解しているフッ素原子の数が、溶液60に溶解しているガリウム原子の数の10倍以下である成膜方法。基体70が、酸化ガリウムにより構成されている成膜方法。酸化ガリウム膜を形成するときに、基体70を400〜1000°Cに加熱する成膜方法。【選択図】図1
請求項(抜粋):
フッ素がドープされた酸化ガリウム膜を基体上に形成する成膜方法であって、
前記基体を加熱しながら、ガリウム化合物とフッ素化合物が溶解した溶液のミストを前記基体の表面に供給する工程、
を有する成膜方法。
IPC (7件):
C30B 29/16
, C30B 25/14
, C30B 25/10
, C23C 16/40
, C23C 16/448
, H01L 21/205
, H01L 51/40
FI (7件):
C30B29/16
, C30B25/14
, C30B25/10
, C23C16/40
, C23C16/448
, H01L21/205
, H01L21/368 L
Fターム (66件):
4G077AA03
, 4G077AB01
, 4G077BB10
, 4G077DB05
, 4G077DB11
, 4G077EA02
, 4G077EB01
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077EG21
, 4G077TA04
, 4G077TB03
, 4G077TB07
, 4G077TC06
, 4G077TH01
, 4G077TJ03
, 4G077TK01
, 4G077TK06
, 4K030AA03
, 4K030AA04
, 4K030AA11
, 4K030AA13
, 4K030AA18
, 4K030BA08
, 4K030BA42
, 4K030BB02
, 4K030CA05
, 4K030CA12
, 4K030EA01
, 4K030FA10
, 4K030JA10
, 4K030LA15
, 5F045AA00
, 5F045AB40
, 5F045AC03
, 5F045AC07
, 5F045AC19
, 5F045AD08
, 5F045AD09
, 5F045AD10
, 5F045AD11
, 5F045AD12
, 5F045AD13
, 5F045AD14
, 5F045AE29
, 5F045AF01
, 5F045AF09
, 5F045BB16
, 5F045BB17
, 5F045DA59
, 5F045DP07
, 5F045DQ06
, 5F045EE02
, 5F045EE15
, 5F045EK06
, 5F053AA50
, 5F053BB57
, 5F053DD20
, 5F053FF01
, 5F053GG01
, 5F053GG03
, 5F053HH04
, 5F053HH05
, 5F053KK10
, 5F053RR07
, 5F053RR20
引用特許:
引用文献:
審査官引用 (1件)
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Journal of Semiconductors, 2016, Vol.37, No.4, 042002-(1-7)
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