特許

J-GLOBAL ID：201903016275760125

多結晶窒化ガリウム自立基板及びそれを用いた発光素子

発明者： 渡邊 守道 ,  吉川 潤 ,  倉岡 義孝 ,  七瀧 努
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社
代理人 (3件)： 高村 雅晴 ,  加島 広基 ,  武石 卓
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-241058
公開番号（公開出願番号）：特開2017-057141
特許番号：特許第6480398号
出願日： 2016年12月13日
公開日（公表日）： 2017年03月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 略法線方向で特定結晶方位に配向した複数の窒化ガリウム系単結晶粒子で構成される多結晶窒化ガリウム自立基板であって、 基板表面の電子線後方散乱回折法(EBSD)の逆極点図マッピングによって測定した各窒化ガリウム系単結晶粒子の結晶方位が特定結晶方位から様々な角度で傾斜して分布し、その平均傾斜角が1〜10°であり、 前記多結晶窒化ガリウム自立基板の表面に露出している窒化ガリウム系単結晶粒子の最表面における断面平均径DTが、前記多結晶窒化ガリウム自立基板の裏面に露出している窒化ガリウム系単結晶粒子の最表面における断面平均径DBと異なる、多結晶窒化ガリウム自立基板。

IPC (2件)：

C30B 29/38 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01)

FI (2件)：

C30B 29/38 D ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 結晶性組成物、デバイスと関連方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2008-547331   出願人：モーメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・インク
• 半導体基板、半導体基板の製造方法、半導体成長用基板、半導体成長用基板の製造方法、半導体素子、発光素子、表示パネル、電子素子、太陽電池素子及び電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-206438   出願人：国立大学法人東京大学, 東海カーボン株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所
• 大領域窒化物結晶およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-134782   出願人：ソラアインコーポレーテッド
• 単結晶窒化ガリウム基板およびその成長方法並びにその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-230925   出願人：住友電気工業株式会社