半導体装置、および半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-112450
公開番号（公開出願番号）：特開2019-012822
出願日： 2018年06月13日
公開日（公表日）： 2019年01月24日
要約：

【課題】単位面積あたりの記憶容量の大きい半導体装置を提供する。【解決手段】第1の開口を有する第1の絶縁体と、第1の絶縁体上の、第2の開口を有する第1の導電体と、第1の絶縁体上の、第3の開口を有する第2の絶縁体と、第1の開口、第2の開口、および第3の開口を貫通するように設けられた酸化物と、を有し、酸化物は、少なくとも第1の開口内において、第1の領域を有し、少なくとも第2の開口内において、第2の領域を有し、少なくとも第3の開口内において、第3の領域を有し、第1の領域、および第3の領域は、第2の領域より低抵抗である半導体装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の開口を有する第1の絶縁体と、前記第1の絶縁体上の、第2の開口を有する第1の導電体と、前記第1の導電体上の、第3の開口を有する第2の絶縁体と、前記第1の開口、前記第2の開口、および前記第3の開口を貫通するように設けられた酸化物と、を有し、前記酸化物は、前記第1の開口内において、第1の領域を有し、前記第2の開口内において、第2の領域を有し、前記第3の開口内において、第3の領域を有し、前記第1の領域、および前記第3の領域は、前記第2の領域より低抵抗であることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 27/115 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (14件)：

H01L27/11568 , H01L29/78 613B , H01L29/78 618B , H01L29/78 626A , H01L29/78 617N , H01L29/78 618E , H01L29/78 617T , H01L29/78 618F , H01L29/78 617U , H01L29/78 617K , H01L29/78 618C , H01L27/11582 , H01L29/78 371 , H01L27/1156

Fターム (110件)：

5F083EP18 , 5F083EP33 , 5F083EP34 , 5F083EP47 , 5F083EP48 , 5F083EP76 , 5F083ER03 , 5F083ER09 , 5F083ER14 , 5F083ER19 , 5F083ER22 , 5F083GA10 , 5F083HA02 , 5F083JA02 , 5F083JA05 , 5F083JA19 , 5F083JA32 , 5F083JA36 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA60 , 5F083KA01 , 5F083KA05 , 5F083KA11 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083LA20 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083ZA01 , 5F101BA45 , 5F101BB04 , 5F101BC02 , 5F101BD16 , 5F101BD22 , 5F101BD30 , 5F101BD34 , 5F101BE07 , 5F110AA09 , 5F110BB05 , 5F110BB06 , 5F110BB08 , 5F110BB11 , 5F110CC09 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD11 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE22 , 5F110EE30 , 5F110EE42 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG07 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG32 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG35 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG58 , 5F110HJ01 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ16 , 5F110HJ18 , 5F110HJ30 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK35 , 5F110HK38 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN74 , 5F110QQ09 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (4件)

不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2014-188757 出願人：株式会社東芝
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2015-153924 出願人：株式会社東芝
記憶装置、半導体装置、及び電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2014-184795 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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