特許
J-GLOBAL ID：201903019814799269
半導体素子、半導体装置、及び製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
岡田 賢治
, 今下 勝博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-221315
公開番号（公開出願番号）：特開2019-057724
出願日： 2018年11月27日
公開日（公表日）： 2019年04月11日
要約：
【課題】バリア高さφBnを調整でき、高周波帯のRF電気信号の検波感度を向上させるためのゼロバイアス動作及びアンテナインピーダンスとの整合を可能とした半導体素子、その製造方法及びそれを備える半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明に係る半導体素子は、InGaAs(n形InGaAs層2)の濃度を、上で述べた「バリア高さがバイアスにより変化」することを防止する範囲を越えて、深く縮退する範囲まで意図的に増大させ、電子フェルミ準位(EF)をInGaAs(n形InGaAs層2)のバンド端からInP(InP空乏化層3)のバンド端の方向に上昇させる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
アノード側からカソード側へ、n形の第1半導体層、第2半導体層、n形の第3半導体層の順で積層され、前記第1半導体層と前記第2半導体層とがヘテロ接合である積層ダイオード構造を備える半導体素子の製造方法であって、
前記第1半導体層をInGaAsとし、
前記第2半導体層をInPとし、
前記ヘテロ接合の面積をSj(μm2)としたとき、前記第1半導体層の電子濃度ne(cm-3)を数式C1で定めることを特徴とする製造方法。
IPC (5件)：
H01L 29/861
, H01L 29/868
, H01L 21/329
, H01L 29/93
, H01Q 1/38
H01L29/91 H
, H01L29/91 F
, H01L29/91 A
, H01L29/93 H
, H01Q1/38
