特許

J-GLOBAL ID：201003051848187488

エピタキシャル方法およびこの方法によって成長させられたテンプレート

発明者： アリーナ, シャンタール ,  ワークホーヴェン, クリスティアーン, ジェイ. ,  バートラム, ジュニア, ロナルド, トーマス ,  リンドウ, エド ,  マハジャン, サブハシュ ,  ダッタ, ランジャン ,  トリヴェディ, ラフル, アジェイ ,  ハン, イルス
出願人/特許権者： エス. オー. アイ. テック シリコン オン インシュレーター テクノロジーズ ,  アリゾナ ボード オブ リージェンツ フォー アンド オン ビハーフ オブ アリゾナ ステイト ユニバーシティ
代理人 (3件)： 山田 行一 ,  野田 雅一 ,  池田 成人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-518416
公開番号（公開出願番号）：特表2010-534612
出願日： 2008年07月25日
公開日（公表日）： 2010年11月11日
要約：

本発明は、小さい欠陥密度を有しかつ選択された結晶極性をオプションとして有する、III族窒化物半導体材料からなる実質的に連続的な層を製造するための方法を提供する。この方法は、テンプレート構造上に不規則に配置されたIII族窒化物材料からなる複数のピラー/アイランドの上部にエピタキシャル成長の核形成および/または播種することを含む。アイランドの上部は、小さい欠陥密度を有し、また、選択された結晶極性をオプションとして有する。本発明は、また、マスク材料からなる実質的に連続的な層を有するテンプレート構造を含み、ピラー/アイランドの上部は、このマスク材料から突き出る。本発明は、広範囲の元素半導体材料および化合物半導体材料に適用されてもよい。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

半導体材料(層材料)を備える層を製造するための方法であって、 複数のアイランドを備えたテンプレート構造を設けるステップであり、前記アイランドが、実質的に不規則な空間的配置を有し、1つまたはそれ以上の選択された結晶特性を備えた上部を有し、かつ、前記層材料がその上に優先的に核形成および成長する材料(アイランド材料)を備える、前記テンプレート構造を設けるステップと、 前記アイランド上における核形成を優先し、その後に、前記アイランドから横方向へのエピタキシャルラテラル成長(ELO)を優先し、その後に、前記アイランドの前記選択された結晶特性の1つまたはそれ以上を継承する実質的に連続的な最終半導体層を形成するための融合を優先するように選択された条件下において、前記層材料を前記テンプレート構造上において成長させるステップと、 を備える、方法。

IPC (8件)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  C30B 29/48 ,  C30B 25/04 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/44 ,  H01L 31/10 ,  H01L 31/04

FI (8件)：

C30B29/38 D ,  H01L21/205 ,  C30B29/48 ,  C30B25/04 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 A ,  H01L31/10 A ,  H01L31/04 A

Fターム (46件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BE15 ,  4G077BE31 ,  4G077DB01 ,  4G077EE05 ,  4G077EE07 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TC12 ,  4G077TK11 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BA40 ,  4K030BB01 ,  4K030BB02 ,  4K030BB13 ,  4K030BB14 ,  4K030CA05 ,  4K030DA08 ,  4K030FA10 ,  4K030LA15 ,  4K030LA16 ,  5F045AA01 ,  5F045AA04 ,  5F045AA18 ,  5F045AB01 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB26 ,  5F045AF14 ,  5F045BB12 ,  5F045DA67 ,  5F045DB02 ,  5F049MB07 ,  5F049NA13 ,  5F049PA03 ,  5F049SS01 ,  5F151AA08 ,  5F151AA09 ,  5F151CB12 ,  5F151GA03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• マスクを通るラテラル成長による窒化ガリウム基板の製造とそれから製作されたデバイス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2006-530713   出願人：ルミログ
• ゲルマニウム層を形成する方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-587677   出願人：ビーティージー・インターナショナル・リミテッド
• 窒化ガリウムのエピタキシャル層の製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-517131   出願人：サントルナショナールドラルシェルシュシアンティフィク(セーエヌエルエス)
• 気相エピタキシにより低い欠陥密度を有する窒化ガリウム膜を作成するプロセス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2004-523874   出願人：リュミログ

引用文献：

審査官引用 (1件)

• The effect of the Si/N treatment of a nitridated sapphire surface on the growth mode of GaN in low-p