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MISC (16件)
- 加藤昌稔, 山田晋也, 山田晋也, 市川修平, 小林周平, 山田道洋, 山田道洋, 内藤貴大, 舘林潤, 藤原康文, et al. 強磁性ホイスラー合金/n+-GaNショットキートンネル接合電極を用いたGaNチャネル層中のスピン伝導検出. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 69th
- Shigefusa F. Chichibu, Yoshinao Kumagai, Kazunobu Kojima, Momoko Deura, Toru Akiyama, Munetaka Arita, Hiroshi Fujioka, Yasufumi Fujiwara, Naoki Hara, Tamotsu Hashizume, et al. Frontiers of Nitride Semiconductor Research FOREWORD. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2019. 58
- 山田晋也, 山田晋也, 本多遼成, 後藤優貴, 市川修平, 舘林潤, 藤原康文, 藤原康文, 浜屋宏平, 浜屋宏平. GaN(0001)上へのハーフメタルホイスラー合金Co2FeSi薄膜の低温MBE成長. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2019. 80th
- 舘林 潤, 稲葉 智宏, 塩見 圭史, 藤原 康文. Eu添加GaNを発光層にした狭帯域赤色垂直微小共振器LEDの実現 (電子部品・材料). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2017. 117. 332. 45-48
- 舘林 潤, 岩本 敏, 荒川 泰彦. ナノワイヤ量子ドットレーザーの室温発振 (「微小レーザーおよび光源の最前線」特集号). レーザー研究 = The review of laser engineering : レーザー学会誌. 2016. 44. 8. 502-507
- 荒川 泰彦, 舘林 潤. ナノワイヤ量子ドットレーザーの進展. 応用物理. 2016. 85. 7. 568-574
- 舘林 潤, 荒川 泰彦. ナノワイヤ量子ドットレーザー : ナノレーザーの高性能化に向けて. 光アライアンス. 2016. 27. 5. 29-33
- MIYAZAWA Toshiyuki, TATEBAYASHI Jun, NAKAOKA Toshihiro, TAKATSU Motomu, ISHIDA Satomi, IWAMOTO Satoshi, TAKEMOTO Kazuya, HIROSE Shinichi, USUKI Tatsuya, YOKOYAMA Naoki, et al. Development of Electrically Driven Single-Photon Emitter at Optical Fiber Bands. Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials. 2005. 2005. 404-405
- 館林潤, GUIMARD Denis, YANG T., 塚本史郎, 西岡政雄, 荒川泰彦. Sbを用いたMOCVD法自己形成InAs/GaAs量子ドットの高密度化・長波長化に関する検討. 応用物理学関係連合講演会講演予稿集. 2005. 52nd. 1
- 井手 利英, 馬場 俊彦, 館林 潤, 岩本 敏, 中岡 俊裕, 荒川 泰彦. InAs量子ドットマイクロディスクレーザの室温発振特性. 電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス. 2004. 104. 484. 11-14
- 館林 潤, 羽鳥 伸明, 石田 充, 江部 広治, 須藤 久男, 倉又 朗人, 菅原 充, 荒川 泰彦. MOCVD法によるGaAs基板上InAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振. 電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス. 2004. 104. 484. 45-50
- JAYAVEL P., KITA T., WADA O., EBE H., SUGAWARA M., TATEBAYASHI J., ARAKAWA Y., NAKATA Y., AKIYAMA T. Optical Polarization Properties of InAs/GaAs Quantum Dot Semiconductor Optical Amplifier. Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials. 2004. 2004. 560-561
- IWAMOTO Satoshi, TATEBAYASHI Jun, FUKUDA Tatsuya, NAKAOKA Toshihiro, ISHIDA Satomi, ARAKAWA Yasuhiko. Observation of Light Emission at-1.5μm from InAs Quantum Dots in Photonic Crystal Microcavity. Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials. 2004. 2004. 918-919
- 角田浩二, 館林潤, 西岡政雄, 塚本史郎, 荒川泰彦. InP(100)基板上のInAs量子ドットのアニール効果. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2004. 65th. 1
- 楊涛, 館林潤, 塚本史郎, 西岡政雄, 荒川泰彦. 歪みバッファ層によるInAs量子ドットの高均一・高密度化. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2003. 64th. 1
- TATEBAYASHI J. Over 1.5μm light emission from InAs quantum dots embedded in InGaAs. Appl. Phys. Lett. 2000. 77. 3382-3382
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