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講演・口頭発表等 (44件)
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Carbon dangling-bond energy levels at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface determined by EDMR, C-V and first-principles calculation
(20th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023) -
トレンチ埋め戻しエピ法によるSiC-SJ-MOSFET開発
(ワイドギャップ半導体学会第12回研究会 2023) -
SiO2/SiC界面に存在するCダングリングボンド欠陥のエネルギーレベル
(先進パワー半導体分科会第9回講演会 2022) -
Impact of oxidation process on electron scattering and roughness at 4H-SiC non-polar MOS interfaces
(The 19th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2022 2022) -
Comparative Study of Performance of SiC SJ-MOSFETs Formed by Multi-epitaxial Growth and Trench-filling Epitaxial Growth
(IEEE ISPSD 2022 2022) -
4H-SiC非極性面上のMOS界面散乱に対する酸化プロセスの影響
(先進パワー半導体分科会第8回講演会 2021) -
Comparison of Field Effect Mobility Enhancement by Different Oxidation Processes at 4H-SiC a-face MOS Interface
(2020 International Conference on Solid State Devices and Materials 2020) -
SiC-MOS界面特有の散乱による異常な移動度劣化
(応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第2回個別討論会 2020) -
Wet酸化プロセスによる4H-SiC a面MOS界面の散乱低減
(先進パワー半導体分科会第6回講演 2019) -
超低実効pエピ基板を用いて評価した4H-SiC(0001)MOSFETの反転チャネル電子の散乱要因
(先進パワー半導体分科会第5回講演会 2018) -
低不純物濃度4H-SiC(0001)基板上に作製したMOSFETのホール効果移動度に対するNO-POAの影響
(第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018) -
Superiority of pure O2-based gate oxidation on Hall effect mobility of 4H-SiC (0001) MOSFET revealed by low-doped epitaxial wafers
(2018 European Conference on Silicon Carbide & related Materials 2018) -
Improved Channel Mobility of 4H-SiC N-MOSFETs by Ultrahigh-Temperature Oxidation with Low-Oxygen Partial-Pressure Cooling Procedure
(2017 IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference 2017) -
SiC-MOSのしきい値電圧変動とその評価法の課題
(先進パワー半導体分科会第8回研究会 2017) -
Accurate Evaluation of Fast Threshold Voltage Shift for SiC MOS Devices under Various Gate Bias Condition
(2017 International Conference on Solid State Devices and Materials 2017) -
Evaluation of Drain Current by AC Gate Bias Stress in Commercially Available SiC MOSFETs
(29th Inter.national Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs 2017) -
超高温酸化と水冷プロセスによるSiC-MOS界面の特性改善
(先進パワー半導体分科会 第3回講演会 2016) -
Impact of Rapid Cooling Process in Ultra-high-temperature Oxidation of 4H-SiC(0001)
(2016 International Conference on Solid State Devices and Materials 2016) -
しきい値電圧変動に対するSiC-MOS界面窒化の効果とその評価方法
(応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第2回個別討論会 2016) -
超高温酸化と急速冷却によるSiC-MOS界面特性改善
(2016年 第63回応用物理学会春季学術講演 2016)
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