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J-GLOBAL ID：202002239351324332   整理番号：20A2238357

陽電子消滅によるSiO₂/GaN構造の空隙と空孔型欠陥の検出

Open spaces and vacancies in SiO₂/GaN structure probed by means of positron annihilation

著者 (8件)： 上殿明良 (筑波大) ,  上野航 (筑波大) ,  細井卓治 (大阪大 大学院) ,  EGGER W. (UniBwM) ,  KOSCHINE T (UniBwM) ,  HUGENSCHMIDT C. (TUM) ,  DICKMANN M. (UniBwM) ,  渡部平司 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.14a-B401-3  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】陽電子消滅は,固体の空孔型欠陥や空隙を感度良く検出できる非破壊検査法である.陽電子が物質中に打ち込まれると,電子と対消滅し,主に2本のγ線を放出する(図1).γ線のエネルギーはm0c2で得られるが,電子の運動量を反映したドップラ...【本文一部表示】

シソーラス用語： イオン ,  運動量 ,  γ線 ,  焼なまし ,  対消滅 ,  半導体 ,  *陽電子 ,  *陽電子消滅 ,  *二酸化ケイ素 ,  運動量分布 ,  *窒化ガリウム ,  斥力 ,  プラズマCVD
準シソーラス用語： 薄膜形成 ,  陽電子寿命 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 陽電子消滅  (BK16052L)

タイトルに関連する用語 (6件)： 陽電子消滅 ,  SiO2 ,  GaN ,  空隙 ,  空孔 ,  欠陥