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J-GLOBAL ID：202002245356677249   整理番号：20A0513982

コンタクトレス光電気化学(PEC)エッチングを用いたリセスゲートHEMTの作製

Simple Photoelectrochemical Etching for Recess Gate GaN HEMT

著者 (9件)： 堀切文正 (サイオクス) ,  福原昇 (サイオクス) ,  渡久地政周 (北大) ,  三輪和希 (北大) ,  成田好伸 (サイオクス) ,  市川磨 (サイオクス) ,  磯野僚多 (サイオクス) ,  田中丈士 (サイオクス) ,  佐藤威友 (北大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 119  号： 408(ED2019 93-105)  ページ： 25-28  発行年： 2020年01月24日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： GaNは化学的に安定であるが,光電気化学(PEC)反応を用いる事で,低損傷な加工が可能である。通常,PEC反応を用いたエッチングでは電気化学セルを構成する必要があるが,電解液に酸化剤を混ぜる事で,UV照射下において試料を電解液に浸すだけのシンプルなエッチングとする事ができる。今回,半絶縁SiC基板上HEMTデバイスのリセス加工へ応用した事例を報告する。(著者抄録)

シソーラス用語： 光電気化学 ,  *エッチング ,  *HEMT ,  *素子構造 ,  窒化ガリウム ,  損傷 ,  紫外線照射 ,  基板 ,  酸化剤 ,  アノード酸化 ,  電解液
準シソーラス用語： SiC基板 ,  *リセス構造 ,  *光電気化学エッチング

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  電気化学反応  (CB07050F) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (18件)：

• W. Saito, I. Omura, T. Ogura, and H. Ohashi, Theoretical limit estimation of lateral wide band-gap conductor power-switching device, Solid-State Electron., vol.48, no.9, pp.1555-1562, September 2004.
• N. M. Shrestha, Y. Li, T. Suemitsu, and S. Samukawa, Electrical characteristic of A1GaN/GaN high-electron-mobility transistors with recess gate structure, IEEE Trans. Electron Devices, vol.66, no.4, pp.1694-1698, April 2019.
• S. Yamada, M. Omori, H. Sakurai, Y. Osada, R. Kamimura, T. Hashizume, J. Suda, and T. Kachi, Reduction of plasma-induced damage in n-type GaN by multistep-bias etching in inductively coupled plasma reactive ion etching, Appl. Phys. Express, vol.13, no.1, pp.016505-1-016505-5, Jan. 2020.
• D. Zhuang, and J. H. Edgar, Wet etching of GaN, AIN, and SiC: a review, Mater. Sci. Eng. R vol.48, pp.1-46, Jan. 2005.
• M. S. Minsky, M. White, and E. L. Hu, Room-temperature photoenhanced wet etching of GaN, Appl. Phys. Lett., vol.68, no.11, pp.1531-1533, March (1996).

タイトルに関連する用語 (6件)： コンタクト ,  レス ,  光電気化学 ,  エッチング ,  HEMT ,  作製