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J-GLOBAL ID:202002246231617217   整理番号:20A2060801

INTPIX4-SOIピクセル化シリコンデバイスを用いた中性子イメージングセンサの開発【JST・京大機械翻訳】

Development of a neutron imaging sensor using INTPIX4-SOI pixelated silicon devices
著者 (10件):
資料名:
巻: 979  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: D0208B  ISSN: 0168-9002  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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INTPIX4-SOI画素化シリコンデバイスに基づく中性子イメージングセンサを開発した。中性子照射試験は中性子に対するセンサの応答を調べるためにいくつかの中性子施設で行った。検出効率は熱中性子に対して約1.5%であると測定された。空間分解能の上限は線広がり関数の標準偏差に関して4.1±0.2μmであると評価された。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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放射線検出・検出器  ,  素粒子・核物理実験技術一般 

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