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J-GLOBAL ID：202002248575746953   整理番号：20A0755982

半導体デバイスの製造品質を裏から支えるプロセスプラズマの隠れた技術 4.プラズマの負荷インピーダンスを利用したプロセス中の異常放電の検出技術

Micro-Arc Discharge Detection Method in Plasma Process by Monitoring Load Impedance

著者 (8件)： 國家真治 (アドバンテスト) ,  佐藤周作 (アドバンテスト) ,  木村直也 (アドバンテスト) ,  若本悟 (アドバンテスト) ,  笠嶋悠司 (産業技術総合研 製造技術研究部門) ,  本村大成 (産業技術総合研 製造技術研究部門) ,  田原竜夫 (産業技術総合研 製造技術研究部門) ,  上杉文彦 (産業技術総合研 九州セ)
資料名： プラズマ・核融合学会誌  (Journal of Plasma and Fusion Research)
巻： 96  号： 3  ページ： 117-121  発行年： 2020年03月25日 
JST資料番号： G0114A  ISSN： 0918-7928  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： プラズマエッチング工程の歩留まりや総合設備効率を悪化させる主要因として,異常放電や異常放電等により剥離したパーティクルが挙げられる。チャンバー内のプラズマインピーダンスの計測により,プラズマの放電状態のモニタリングや異常放電を検出する計測システムを開発したので紹介する。(著者抄録)

シソーラス用語： プラズマ処理 ,  半導体素子 ,  インピーダンス ,  *プラズマエッチング ,  歩留り ,  効率 ,  計測システム ,  電気測定
準シソーラス用語： インピーダンス測定 ,  ネットワーク解析 ,  プラズマプロセス ,  *異常放電 ,  半導体デバイス ,  負荷インピーダンス

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (4件)：

• T. Motomura et al., Rev. Sci. Instrum. 85, 026103 (2014).
• Y. Kasashima et al., Appl. Phys. Express 7, 096102 (2014).
• Y. Kasashima et al., Jpn. J. Appl. Phys. 54, 060301 (2015).
• Y. Kasashima andF. Uesugi., J. Vac. Soc. Jpn. 59, 270(2016).

タイトルに関連する用語 (7件)： 半導体デバイスの製造 ,  裏 ,  プロセス ,  プラズマ ,  負荷インピーダンス ,  放電 ,  検出技術