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J-GLOBAL ID：202002251750102472   整理番号：20A1235529

分光光電子ホログラフィーによる電気活性に関連したSi中にドープした不純物の三次元原子配列の解析

Analyses of three-dimensional atomic arrangements of impurities doped in Si relating to electrical activity by spectro-photoelectron holography

著者 (3件)： Tsutsui Kazuo (Institute of Innovative Research, Tokyo Institute of Technology, 4259-J2-69, Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, Japan) ,  Morikawa Yoshitada (Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1, Yamada-oka, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Morikawa Yoshitada (Research Center for Ultra-Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1, Yamada-oka, Suita, Osaka 565-0871, Japan)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 59  号： 1  ページ： 010503 (8pp)  発行年： 2020年01月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高濃度半導体におけるドーパントの電気的活性化はデバイス技術における重要な要件である。しかし,最大濃度は材料とプロセス条件に依存して実際に制限され,不活性化ドーパントは種々のクラスタ構造を形成すると考えられる。光電子ホログラフィーは,このような構造の三次元(3D)原子配列の解析に有用であることを実証した。Si中にドープしたAsの実験を通して,この方法の有用性と第一原理計算とシミュレーションの組合せを論じた。結果として,電気的に活性で,電気的に不活性なAs_nV(n=2~4)クラスタである個々の置換Asの3D原子配列を明らかにした。さらに,AsとBの共ドーピングを,構造解析と理論予測に基づくAsの活性化速度を強化する新しい方法として提案した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ホログラフィー ,  *活性 ,  *ケイ素 ,  *ドーピング ,  *不純物 ,  *配列 ,  活性化 ,  構造 ,  ヒ素 ,  計算 ,  計算機シミュレーション ,  構造解析
準シソーラス用語： 光電子ホログラフィー ,  *電気活性 ,  *原子配列 ,  *三次元原子配列 ,  電気的活性化 ,  クラスター構造 ,  第一原理計算

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (8件)： 分光 ,  光電子ホログラフィー ,  電気活性 ,  Si ,  ドープ ,  不純物 ,  原子配列 ,  解析