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J-GLOBAL ID：202002271464485151   整理番号：20A1414601

低抵抗GaAs/Siヘテロ界面を作製するための表面活性化による室温での化学結合【JST・京大機械翻訳】

Chemical bonding at room temperature via surface activation to fabricate low-resistance GaAs/Si heterointerfaces

著者 (8件)： Ohno Yutaka (Institute for Materials Research (IMR), Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan) ,  Liang Jianbo (Graduate School of Engineering, Osaka-City University, 3-3-138 Sugimoto, Sumiyoshi, Osaka 558-8585, Japan) ,  Shigekawa Naoteru (Graduate School of Engineering, Osaka-City University, 3-3-138 Sugimoto, Sumiyoshi, Osaka 558-8585, Japan) ,  Yoshida Hideto (The Institute of Scientific and Industrial Research (ISIR), Osaka University, 8-1 Mihogaoka, Ibaraki, Osaka 567-0047, Japan) ,  Takeda Seiji (The Institute of Scientific and Industrial Research (ISIR), Osaka University, 8-1 Mihogaoka, Ibaraki, Osaka 567-0047, Japan) ,  Miyagawa Reina (Department of Physical Science and Engineering, Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Nagoya 466-8555, Japan) ,  Shimizu Yasuo (Institute for Materials Research (IMR), Tohoku University, 2145-2 Narita-cho, Oarai, Ibaraki 311-1313, Japan) ,  Nagai Yasuyoshi (Institute for Materials Research (IMR), Tohoku University, 2145-2 Narita-cho, Oarai, Ibaraki 311-1313, Japan)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 525  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面活性化結合(SAB)により作製したGaAs/Siヘテロ界面の室温(RT)における結合機構を,低温集束イオンビームおよび飛行時間二次イオン質量分析と組み合わせた断面走査透過電子顕微鏡を用いて調べた。RTでの接合過程において,おそらく表面活性化過程で導入された点欠陥によって支援された過渡的増強拡散による界面での原子混合が確認される。原子的に清浄で活性化した表面の形成と同様に,界面での欠陥支援原子拡散はSABの重要な概念であり,それによってRTで強靭なヘテロ界面を創製できる。一方,活性化表面の欠陥は界面抵抗を低下させる。劣化特性はSABプロセス後の適切なアニーリングによって回復できるが,ヘテロ界面の周りの原子構造はアニーリング中に修正される。SABとその後のアニーリング条件を制御することで,化学結合強度と電子特性の間のトレードオフ関係の最適化により低抵抗ヘテロ界面を得ることができ,結合前の活性化表面により決定した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  *化学結合 ,  最適化 ,  焼なまし ,  低温 ,  点欠陥 ,  *ケイ素 ,  *ヒ化ガリウム ,  原子構造 ,  付着強さ ,  集束イオンビーム
準シソーラス用語： 原子拡散 ,  *ヘテロ界面 ,  界面抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 低温直接ウエハボンディング ,  表面活性化 ,  ヘテロ界面 ,  走査型透過電子顕微鏡法 ,  低温集束イオンビーム

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (8件)： 低抵抗 ,  GaAs ,  Si ,  ヘテロ界面 ,  作製 ,  表面活性化 ,  室温 ,  化学結合