文献

J-GLOBAL ID：202002276224442388   整理番号：20A2235306

化学蒸着によるSiCナノワイヤの堆積速度に及ぼすプロセスパラメータの影響

Effects of Process Parameters on Deposition Rate of SiC Nanowires by Chemical Vapor Deposition

著者 (5件)： Li Binbin (College of Materials Science and Technology, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics) ,  Huang Haiquan (College of Materials Science and Technology, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics) ,  He Tao (College of Materials Science and Technology, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics) ,  Mao Bangxiao (College of Materials Science and Technology, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics) ,  Wang Xingbang (College of Materials Science and Technology, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics)
資料名： Journal of Chemical Engineering of Japan  (Journal of Chemical Engineering of Japan)
巻： 53  号： 7  ページ： 273-279(J-STAGE)  発行年： 2020年 
JST資料番号： S0629A  ISSN： 0021-9592  CODEN： JCEJAQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学蒸着(CVD)は,炭化ケイ素(SiC)ナノワイヤを調製するための適切な方法である。CVD管中の混合ガス成分の堆積温度,ガス速度,および分布は最終析出速度に影響する主要因子である。堆積温度,MTSのフラックス,混合ガスのフラックスおよびArとH₂の比率からなるプロセスパラメータがSiCナノワイヤの堆積速度に及ぼす影響を数値的に計算した。プロセスパラメータは,高い堆積速度SiCナノワイヤを得るために,直交L₉(3)⁴試験による最適化を達成した。SiCナノワイヤの最適堆積速度は,以下の操作条件下で得られた:1473Kの堆積温度,5mL/分のMTSのフラックス,525mL/minの混合ガスのフラックス,およびAr:H₂=1:1。二つの計算結果を,対応する実験結果によって検証し,そしてそれは,シミュレーション結果の正確性を顕著に明らかにした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  ナノワイヤ ,  *化学蒸着 ,  堆積速度 ,  プロセスパラメータ ,  混合気体 ,  流速 ,  温度依存性 ,  フラックス【流束】 ,  アルゴン ,  水素 ,  化学組成 ,  最適化 ,  シミュレーション ,  精度 ,  数値解析 ,  流体力学的性質 ,  境界条件 ,  X線回折 ,  結晶面 ,  塩化ケイ素 ,  最適設計 ,  モルフォロジー
準シソーラス用語： CVD【化学蒸着】 ,  SiC ,  二塩化ケイ素 ,  混合ガス ,  数値シミュレーション ,  正確性 ,  反応条件

著者キーワード (8件)： 化学蒸着 ,  炭化ケイ素ナノワイヤ ,  堆積速度 ,  直交設計 ,  化学蒸着 ,  炭化ケイ素ナノワイヤ ,  堆積速度 ,  直交設計

分類 (2件)： その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T) ,  非金属化合物  (CD01070R)

物質索引 (1件)： メチルトリクロロシラン

引用文献 (19件)：

• Chen, J., J. Zhang, M. Wang and Y. Li; “High-Temperature Hydrogen Sensor based on Platinum Nanoparticle-Decorated SiC Nanowire Device,” Sens. Actuators B Chem., 201, 402-406 (2014)
• Chen, J., L. Ding, L. Xin, F. Zeng and J. Chen; “Thermochemistry and Growth Mechanism of SiC Nanowires,” J. Solid State Chem., 253, 282-286 (2017)
• Chen, S., P. Ying, L. Wang, G. Wei, J. Zheng, F. Gao, S. Su and W. Yang; “Growth of Flexible N-Doped SiC Quasialigned Nanoarrays and Their Field Emission Properties,” J. Mater. Chem. C Mater. Opt. Electron. Devices, 1, 4779-4784 (2013)
• Chu, Y., Q. Fu, Z. Zhang, H. Li, K. Li and Q. Lei; “Microstructure and Growth Mechanism of SiC Nanowires with Periodically Fluctuating Hexagonal Prisms by CVD,” J. Alloys Compd., 508, 36-39 (2010)
• Hu, P., S. Dong, X. Zhang, K. Gui, G. Chen and Z. Hu; “Synthesis and Characterization of Ultralong SiC Nanowires with Unique Optical Properties, Excellent Thermal Stability and Flexible Nanomechanical Properties,” Sci. Rep., 7, 3011 (2017)

タイトルに関連する用語 (5件)： 化学蒸着 ,  SiC ,  ナノワイヤ ,  堆積速度 ,  プロセスパラメータ