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J-GLOBAL ID：202002277324845182   整理番号：20A1724438

パワーデバイス・パワーICの高性能化技術動向

Progress of performance improvement of power semiconductor devices and ICs

著者 (22件)： 齋藤渉 (九大) ,  大西泰彦 (富士電機) ,  白石正樹 (日立) ,  西脇達也 (東芝デバイス&ストレージ) ,  岩室憲幸 (筑波大) ,  大井幸多 (富士電機) ,  小野田道広 (オンセミコンダクター会津) ,  木村圭佑 (トヨタ自動車) ,  清水尚博 (名古屋大) ,  杉浦賢二 (アイスモス・テクノロジー・ジャパン) ,  附田正則 (九州工大) ,  中村勝光 (三菱電機) ,  坂東章 (昭和電工) ,  平山知央 (京セラ) ,  宮澤哲哉 (電力中研) ,  三好智之 (日立) ,  森隆弘 (ルネサスエレクトロニクス) ,  矢野浩司 (山梨大) ,  山崎みや (オリジン) ,  山下侑佑 (豊田中研) ,  吉川大輝 (東芝デバイス&ストレージ) ,  吉野学 (三菱電機)
資料名： 電気学会技術報告
号： 1489  ページ： 64P  発行年： 2020年07月22日 
JST資料番号： S0378A  ISSN： 0919-9195  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： パワーデバイス・パワーICの高性能化を実現する技術動向について,2019年度までの直近の3年間を中心として調査してきた結果をまとめた。シリコンをベースとしたパワーデバイス・パワーICでは,単なる低損失化という進歩ではなく,ノイズの低減や高破壊耐量・高信頼性といった総合的な性能向上が行われると共に,各用途に応じた最適化がさらに進められてきた。学術面では,デバイス内部の動的な挙動,信頼性等を様々な手法で詳細に解析し理論的に解明する動きが活発になっている。加えて,ゲート駆動などの制御技術とデバイス構造の組み合わせによる性能向上という融合技術の発展も見られ,全体としては技術の成熟と深化,そして,多様化が一層進んでいる。一方,新材料パワーデバイスでは,シリコンカーバイド(SiC)トレンチゲート・パワーMOSFETや窒化ガリウム(GaN)High Electron Mobility Transistor(HEMT)の製品化が開始され,SiC-MOSFETでは,3.3kV-13kVといった高耐圧検討,ショットキーバリアダイオードの内蔵やSJ構造による低オン抵抗化が進められている。加えて,短絡耐量などの信頼性についても検討が進められている。GaNデバイスは,pゲート構造を中心にゲート信頼性や短絡耐量の評価・解析が進められている。さらに,酸化ガリウムやダイアモンドを用いたパワーデバイスの研究も活発に行われている。(著者抄録)

シソーラス用語： *半導体素子 ,  集積回路 ,  炭化ケイ素 ,  MOSFET ,  電力トランジスタ ,  窒化ガリウム ,  Schottky障壁ダイオード ,  技術予測 ,  ダイヤモンド ,  素子構造 ,  ゲート【半導体】 ,  信頼性 ,  最適化 ,  雑音
準シソーラス用語： *パワーデバイス ,  パワーIC ,  *技術動向 ,  高性能化 ,  SiC ,  パワーMOSFET ,  GaN ,  Schottkyバリアダイオード ,  トレンチゲート

分類 (2件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (322件)：

• H. Fujii; S. Tokumitsu; T. Mori; T. Yamashita; T. Maruyama; T. Maruyama; Y. Maruyama; S. Nishimoto; H. Arie; S. Kubo; T. Ipposhi: ′′A 90nm bulk BiCDMOS platform technology with 15-80V LD-MOSFETs for automotive applications′′, Proc. of the ISPSD 2017, PP.73-176.
• L. Wei; U. Singh; J. M. Koo; J. Huihua: ′′A novel high performance medium-voltage DEnMOS in 40nm CMOS technology′′,Proc.of the ISPSD 2018, PP.292-294.
• B. S. Kumar; M. Paul; M. Shrivastava; H. Gossner: ′′Performance and reliability insights of drain extended FinFET devices for high voltage SoC applications′′, Proc. of the ISPSD 2018, PP.72-75.
• H. Fujii, S. Tokumitsu, T. Mori, T. Yamashita, T. Maruyama, T. Maruyama, Y. Maruyama, S. Nishimoto, H. Arie, S. Kubo, T. Ipposhi ′′A 90nm Bulk BiCDMOS Platform Technology with 15-80V LD-MOSFETs for Automotive Applications′′, ISPSD2017, pp.73-76, 2017
• B. S. Kumar, M. Paul, M. Shrivastava, H. Gossner ′′Performance and Reliability Insights of Drain Extended FinFET Devices for High Voltage SoC Applications′′, ISPSD2018, pp.72-75, 2018

タイトルに関連する用語 (4件)： パワーデバイス ,  パワーIC ,  高性能化 ,  技術動向