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J-GLOBAL ID：202002281039625061   整理番号：20A1132738

近赤外in vivoイメージングのためのAg(In,Ga)Se_2量子ドットの調整された光ルミネセンス特性【JST・京大機械翻訳】

Tailored Photoluminescence Properties of Ag(In,Ga)Se₂ Quantum Dots for Near-Infrared In Vivo Imaging

著者 (17件)： Kameyama Tatsuya (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Japan) ,  Kameyama Tatsuya (JST, PRESTO, Japan) ,  Yamauchi Hiroki (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Japan) ,  Yamamoto Takahisa (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Japan) ,  Mizumaki Toshiki (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Japan) ,  Yukawa Hiroshi (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Japan) ,  Yukawa Hiroshi (Institute of Nano-Life-Systems, Institutes of Innovation for Future Society, Nagoya University, Japan) ,  Yukawa Hiroshi (Institute of Quantum Life Science, National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology, Japan) ,  Yamamoto Masahiro (Department of Chemistry, Konan University, Japan) ,  Ikeda Shigeru (Department of Chemistry, Konan University, Japan) ,  Uematsu Taro (Graduate School of Engineering, Osaka University, Japan) ,  Baba Yoshinobu (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Japan) ,  Baba Yoshinobu (Institute of Nano-Life-Systems, Institutes of Innovation for Future Society, Nagoya University, Japan) ,  Baba Yoshinobu (Institute of Quantum Life Science, National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology, Japan) ,  Kuwabata Susumu (Graduate School of Engineering, Osaka University, Japan) ,  Torimoto Tsukasa (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Japan) ,  Torimoto Tsukasa (Institute of Nano-Life-Systems, Institutes of Innovation for Future Society, Nagoya University, Japan)
資料名： ACS Applied Nano Materials  (ACS Applied Nano Materials)
巻： 3  号： 4  ページ： 3275-3287  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5033A  ISSN： 2574-0970  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 毒性が少なく近赤外光応答性を示す多価半導体量子ドット(QD)は,in vivoバイオイメージングに多くの注目を集めている。本研究では,非化学量論とGa3+ドーピングの程度を変調することにより,Ag-In-Se QDの光学的性質を制御した。Ag-In-Se QDのAg/In比を正確に調整することにより,広い欠陥サイト発光なしに鋭いバンド端発光が出現した。Ag-In-Se(AIGSe)QDへのGA3+ドーピングはそれらのエネルギーギャップを拡大し,バンド端PLピークの890から630nmへの青方偏移をもたらした。バンド端PL強度は,薄いGaS_xシェルによる表面被覆により著しく拡大し,続いてトリオクチルホスフィンによる処理により,最高のPL収率は800nmにおけるPLピークに対して38%であった。得られたQDは,励起と検出光の波長を最初の生物学的窓で選択できる三次元生体内バイオイメージングのための近赤外PLプローブとして成功裏に使用され,次に,深さ約5mmの生体組織に注入されたAIGSe@GaS_xコア-シェルQDから信号を明確に検出した。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 発光 ,  半導体 ,  *光ルミネセンス ,  *インジウム ,  *銀 ,  *画像処理 ,  ドーピング ,  *近赤外線 ,  青方偏移 ,  三次元 ,  非化学量論 ,  *量子ドット ,  コアシェル構造 ,  バイオイメージング

著者キーワード (6件)： 半導体ナノ結晶 ,  量子ドット ,  I-III-VI_2半導体 ,  バンド端発光 ,  近赤外光ルミネセンス ,  生物学的イメージング

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  塩  (CD01050V)

物質索引 (1件)： トリオクチルホスフィン

タイトルに関連する用語 (6件)： 近赤外 ,  イメージング ,  Ag ,  Ga ,  量子ドット ,  光ルミネセンス