Namiuchi Daichi について
Center for Crystal Science and Technology, University of Yamanashi, 7-32 Miyamae-cho, Kofu, 400-8511, Japan について
Onogawa Atsushi について
Center for Crystal Science and Technology, University of Yamanashi, 7-32 Miyamae-cho, Kofu, 400-8511, Japan について
Fujisawa Taisuke について
Center for Crystal Science and Technology, University of Yamanashi, 7-32 Miyamae-cho, Kofu, 400-8511, Japan について
Sano Yuichi について
Center for Instrumental Analysis, University of Yamanashi, Japan について
Izumi Daisuke について
Center for Instrumental Analysis, University of Yamanashi, Japan について
Yamanaka Junji について
Center for Instrumental Analysis, University of Yamanashi, Japan について
Hara Kosuke O. について
Center for Crystal Science and Technology, University of Yamanashi, 7-32 Miyamae-cho, Kofu, 400-8511, Japan について
Sawano Kentarou について
Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, Japan について
Nakagawa Kiyokazu について
Center for Crystal Science and Technology, University of Yamanashi, 7-32 Miyamae-cho, Kofu, 400-8511, Japan について
Arimoto Keisuke について
Center for Crystal Science and Technology, University of Yamanashi, 7-32 Miyamae-cho, Kofu, 400-8511, Japan について
Materials Science in Semiconductor Processing について
正孔 について
層厚 について
移動度 について
MBE成長 について
格子歪 について
有効質量 について
電気特性 について
格子欠陥 について
ケイ素 について
CMOS について
電圧 について
シリコンゲルマニウム について
デバイス特性 について
引張歪 について
正孔移動度 について
トランジスタ について
半導体薄膜 について
半導体のルミネセンス について
Si について
緩和 について
SiGe について
ヘテロ構造 について
正孔移動度 について
ゲート について
研究 について