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J-GLOBAL ID：202002285864211862   整理番号：20A0885228

歪んだSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造における正孔移動度のゲートHall測定による研究【JST・京大機械翻訳】

Hole mobility in Strained Si/Relaxed SiGe/Si(110) hetero structures studied by gated Hall measurements

著者 (10件)： Namiuchi Daichi (Center for Crystal Science and Technology, University of Yamanashi, 7-32 Miyamae-cho, Kofu, 400-8511, Japan) ,  Onogawa Atsushi (Center for Crystal Science and Technology, University of Yamanashi, 7-32 Miyamae-cho, Kofu, 400-8511, Japan) ,  Fujisawa Taisuke (Center for Crystal Science and Technology, University of Yamanashi, 7-32 Miyamae-cho, Kofu, 400-8511, Japan) ,  Sano Yuichi (Center for Instrumental Analysis, University of Yamanashi, Japan) ,  Izumi Daisuke (Center for Instrumental Analysis, University of Yamanashi, Japan) ,  Yamanaka Junji (Center for Instrumental Analysis, University of Yamanashi, Japan) ,  Hara Kosuke O. (Center for Crystal Science and Technology, University of Yamanashi, 7-32 Miyamae-cho, Kofu, 400-8511, Japan) ,  Sawano Kentarou (Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, Japan) ,  Nakagawa Kiyokazu (Center for Crystal Science and Technology, University of Yamanashi, 7-32 Miyamae-cho, Kofu, 400-8511, Japan) ,  Arimoto Keisuke (Center for Crystal Science and Technology, University of Yamanashi, 7-32 Miyamae-cho, Kofu, 400-8511, Japan)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 113  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 歪んだSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造は,それらの高い正孔移動度が高性能Siウエハに基づくCMOSデバイスの実現に適しているので,興味を引いている。(110)配向引張歪Siの理論的正孔有効質量は非歪Siのそれの半分以下である。歪Si層の歪と結晶品質がそれに依存するので,歪んだSi層の厚さはデバイス特性を決定するパラメータの一つである。本研究では,種々の歪Si層厚(20~136nm)を持つ試料を,SiGe/Si(110)構造上に,固体源分子線エピタクシー(SSMBE)法を用いて成長させた。ゲートバイアス電圧を印加してHall測定を行ったゲートHall測定により電気特性を評価した。ゲートHall測定で測定したキャリアの移動度と密度は,ゲートバイアス電圧により駆動される正孔のそれに対応することを確認した。20nm厚の歪Siを持つ試料では正孔移動度が最も高く,歪Si層厚の増加と共に減少した。正孔移動度のこの依存性は格子歪の減少と歪Si層厚の増加に伴う結晶欠陥の増加の結果として説明できる。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *正孔 ,  層厚 ,  *移動度 ,  MBE成長 ,  格子歪 ,  有効質量 ,  電気特性 ,  格子欠陥 ,  *ケイ素 ,  CMOS ,  電圧
準シソーラス用語： *シリコンゲルマニウム ,  デバイス特性 ,  引張歪 ,  *正孔移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  緩和 ,  SiGe ,  ヘテロ構造 ,  正孔移動度 ,  ゲート ,  研究