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J-GLOBAL ID：202002289006249746   整理番号：20A2233963

スピン移動トルク磁気ランダムアクセスメモリのドライエッチング戦略:レビュー【JST・京大機械翻訳】

Dry etching strategy of spin-transfer-torque magnetic random access memory: A review

著者 (3件)： Islam Rabiul (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Waterloo, 200 University Avenue West, Waterloo, Ontario N2L 3G1, Canada) ,  Cui Bo (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Waterloo, 200 University Avenue West, Waterloo, Ontario N2L 3G1, Canada) ,  Miao Guo-Xing (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Waterloo, 200 University Avenue West, Waterloo, Ontario N2L 3G1, Canada)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 38  号： 5  ページ： 050801-050801-19  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スピンベースメモリ,スピン転送トルク-磁気ランダムアクセスメモリ(STT-MRAM)は,高密度メモリシステムの電力効率を高める可能性を有する。その望ましい特性は,非揮発性,高速操作,および長い耐久性を含む。しかし,MRAM構造のドライエッチングは,産業がその生産を傾斜させるので,課題として残っている。本論文では,MRAM構造をエッチングするために使用されたエッチング戦略を検討した。最適デバイス性能を達成するために,いくつかのエッチング技術を開発した。これらは反応性イオンエッチング,時間変調プラズマエッチング,原子層エッチング,およびイオンビームエッチングである。側壁プロファイル,側壁汚染または損傷,再堆積,選択性,および非腐食性は,最良のエッチング法を選択する際に考慮すべき主な要因である。本論文では,MRAMの読み込み,書き込み,保存原理,およびエッチングの課題を解決するための現在のアプローチによる仕上げの基盤から始めている。エッチングのために,CoFeB,CoFeおよびNiFeのような最も一般的に使用される磁性材料を,本論文でカバーした。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エッチング ,  *記憶装置 ,  *トルク ,  磁性材料 ,  耐久性 ,  記憶方式 ,  非揮発性 ,  イオンエッチング ,  RIE【エッチング】 ,  プラズマエッチング ,  *ドライエッチング ,  電力効率
準シソーラス用語： 高密度 ,  スピントルク ,  原子層エッチング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： スピン移動トルク ,  磁気ランダムアクセスメモリ ,  ドライエッチング ,  戦略 ,  レビュー