特許
J-GLOBAL ID：202003000419988000
窒化物半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-049952
公開番号（公開出願番号）：特開2020-155468
出願日： 2019年03月18日
公開日（公表日）： 2020年09月24日
要約：
【課題】窒化物半導体においてp型領域を形成するための技術を提供する。【解決手段】窒化物半導体装置の製造方法は、窒化物半導体基板の表面近傍にp型不純物を配置する不純物配置工程を備える。窒化物半導体基板を1400°C以上の温度、および、1400°Cにおける窒化物半導体基板の飽和蒸気圧以上の高圧でアニールすることで、p型不純物を窒化物半導体基板の内部へ拡散させる拡散工程を備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
窒化物半導体基板の表面近傍にp型不純物を配置する不純物配置工程と、
前記窒化物半導体基板を1400°C以上の温度、および、1400°Cにおける前記窒化物半導体基板の飽和蒸気圧以上の高圧でアニールすることで、前記p型不純物を窒化物半導体基板の内部へ拡散させる拡散工程と、
を備える、窒化物半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/265
, H01L 21/225
, H01L 21/223
H01L21/265 601A
, H01L21/265 601Z
, H01L21/225 C
, H01L21/225 N
, H01L21/223 C
, H01L21/265 F
