特許
J-GLOBAL ID：202003000743574650

基体および基体の製造方法

発明者：
西中 浩之

西中 浩之 について

, 
吉本 昌広

吉本 昌広 について


出願人/特許権者：
国立大学法人京都工芸繊維大学

国立大学法人京都工芸繊維大学 について


代理人 (3件)： 木村 満 ,  森川 泰司 ,  龍竹 史朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-078846
公開番号（公開出願番号）：特開2020-114799
出願日： 2020年04月28日
公開日（公表日）： 2020年07月30日
要約：
【課題】特性と信頼性の高い発光素子またはその他半導体素子を実現することができる基体を提供する。【解決手段】基体は、サファイア基板1と、サファイア基板1上に形成され、α-Ga2O3、α-Cr2O3のうちの少なくとも1つからなる緩衝層2と、緩衝層2の上に形成され、菱面体晶構造を有するITO(Indium Tin Oxide)からなる導電体層3と、を備える。サファイア基板1は、結晶方位がc面、r面、a面およびm面のうちのいずれか1つである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
サファイア基板と、 前記サファイア基板上に形成され、α-Ga2O3、α-Cr2O3のうちの少なくとも1つからなる緩衝層と、 前記緩衝層の上に形成され、菱面体晶構造を有するITO(Indium Tin Oxide)からなる導電体層と、を備える、 基体。
IPC (4件)：
C30B 29/22 ,  C30B 25/18 ,  C23C 16/06 ,  C23C 16/448
FI (4件)：
C30B29/22 Z ,  C30B25/18 ,  C23C16/06 ,  C23C16/448
Fターム (37件)：
4G077AA03 ,  4G077BB10 ,  4G077DB02 ,  4G077EA06 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077GA03 ,  4G077GA05 ,  4G077GA07 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB01 ,  4G077TB13 ,  4G077TC06 ,  4G077TG04 ,  4G077TH02 ,  4G077TK06 ,  4G077TK08 ,  4K030AA11 ,  4K030AA18 ,  4K030BA06 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA15 ,  4K030BA42 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA01 ,  4K030HA13 ,  4K030JA10 ,  4K030KA02 ,  4K030LA12
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)
引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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