特許
J-GLOBAL ID：202003003724869249
電子装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
伊東 忠重
, 伊東 忠彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-084293
公開番号（公開出願番号）：特開2017-195267
特許番号：特許第6784053号
出願日： 2016年04月20日
公開日（公表日）： 2017年10月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 電子部品が備える、パラジウム層を有する金属層の上にバンプを載せる工程と、
前記バンプを加熱して溶融させることにより、前記金属層に前記バンプを接続する工程とを有し、
前記バンプは、0.05wt%以上1wt%以下のパラジウムと、前記パラジウムよりも大きい質量パーセント濃度のスズと、前記パラジウムよりも大きい質量パーセント濃度のビスマスとを含み、前記バンプにおいて前記パラジウムはほぼ飽和状態にあり、前記金属層に前記バンプを接続する工程で、前記金属層の前記パラジウム層から前記バンプの表面へのパラジウムの局在を抑制することを特徴とする電子装置の製造方法。
IPC (4件)：
H05K 3/34 ( 200 6.01)
, B23K 35/26 ( 200 6.01)
, H01L 23/12 ( 200 6.01)
, C22C 12/00 ( 200 6.01)
H05K 3/34 505 E
, H05K 3/34 512 C
, B23K 35/26 310 C
, H01L 23/12 501 Z
, C22C 12/00
