特許
J-GLOBAL ID：202003004787673278
半導体増幅器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, ▲高▼木 邦夫
, 寺澤 正太郎
, 諏澤 勇司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-131324
公開番号（公開出願番号）：特開2020-010242
出願日： 2018年07月11日
公開日（公表日）： 2020年01月16日
要約：
【課題】多段増幅器のトランジスタにおけるバイアス回路間の干渉を防止して、安定した出力信号を生成する半導体増幅器を提供する。【解決手段】半導体増幅器は、パッケージ内の空間内の底板上に並んで搭載されたトランジスタ21a,21bと、底板上のトランジスタ21a,21bの間に搭載された整合回路22aと、底板上のトランジスタ21bに対してトランジスタ21aの反対側に搭載された整合回路22bとを備える。トランジスタ21a、整合回路22a、トランジスタ21b及び整合回路22bは、入力LINと出力LOUTとの間に直線的に配置されている。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
金属製の底板と、前記底板上に載置された第1の開口を有する絶縁性の回路基板と、前記回路基板上の周縁部に載置され、前記第1の開口より大きく前記第1の開口を囲む第2の開口を有する絶縁性の側壁部と、前記側壁部上に載置された蓋部とを有し、前記第1の開口及び前記第2の開口によって形成された空間を封止するパッケージと、
前記空間内の前記底板上に並んで搭載された第1のトランジスタ、第2のトランジスタと、
前記空間内の前記底板上の前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタとの間に搭載され、第1のトランジスタのドレインと第2のトランジスタのゲートとの間に接続された第1の整合回路と、
前記空間内の前記底板上の前記第2のトランジスタに対して前記第1のトランジスタの反対側に隣り合って搭載され、第2のトランジスタのドレインに接続された第2の整合回路と、
前記回路基板の一方の辺の中央に設けられ、前記第1のトランジスタのゲートに接続された入力端子と、
前記回路基板の前記一方の辺に対向する他方の辺の中央に設けられ、前記第2のトランジスタのドレインに前記第2の整合回路を介して接続された出力端子と、
前記回路基板の前記入力端子あるいは前記出力端子の一方を挟んだ位置に設けられ、前記第1のトランジスタのゲート及び前記第2のトランジスタのゲートにそれぞれ接続された第1のゲートバイアス端子及び第2のゲートバイアス端子と、
前記回路基板の前記入力端子あるいは前記出力端子の他方を挟んだ位置に設けられ、前記第1のトランジスタのドレイン及び前記第2のトランジスタのドレインにそれぞれ接続された第1のドレインバイアス端子及び第2のドレインバイアス端子と、を備え、
前記第1のトランジスタ、前記第1の整合回路、前記第2のトランジスタ、及び前記第2の整合回路は、前記入力端子と前記出力端子との間に直線的に配置されている、
半導体増幅器。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
5J500AA01
, 5J500AC54
, 5J500AF16
, 5J500AH09
, 5J500AH29
, 5J500AK29
, 5J500AM08
, 5J500AM19
, 5J500AQ04
, 5J500AS13
, 5J500LV07
, 5J500LV08
出願人引用 (3件)
-
半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2016-227302
出願人：住友電工デバイス・イノベーション株式会社
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高周波増幅器
公報種別：公開公報
出願番号：特願2014-139270
出願人：株式会社東芝
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高周波電力増幅装置および無線通信機
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-300423
出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ, 日立東部セミコンダクタ株式会社
審査官引用 (3件)
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半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2016-227302
出願人：住友電工デバイス・イノベーション株式会社
-
高周波増幅器
公報種別：公開公報
出願番号：特願2014-139270
出願人：株式会社東芝
-
半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2010-106357
出願人：株式会社ルネサステクノロジ
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