特許
J-GLOBAL ID：201003015531749697

半導体装置

発明者：
清水 敏彦

清水 敏彦 について

, 
松永 良国

松永 良国 について

, 
草刈 ゆり

草刈 ゆり について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-106357
公開番号（公開出願番号）：特開2010-226120
出願日： 2010年05月06日
公開日（公表日）： 2010年10月07日
要約：
【課題】異なる系統の電力増幅回路を含む半導体装置を小型にする。【解決手段】2つの周波数帯の高周波信号を取り扱うことが可能なデュアル方式のデジタル携帯電話機のRFパワーモジュールを構成する系統の異なる電力増幅回路2A,2Bを同一のICチップ1C内に配置した。この場合、電力増幅回路2A,2BをICチップ1Cの周辺に配置し、周辺回路3を電力増幅回路2A,2Bの間に配置させた。これにより、異なる系統の電力増幅回路2A,2Bを同一のICチップ1C内に設けて小型化が図れる上、異なる系統の電力増幅回路2A,2Bを同一のICチップ1Cに設けても電力増幅回路2A,2B間の距離が確保されるので電力増幅回路2A,2B間の結合を抑制させることができ、電力増幅回路2A,2B間でのクロストークを抑制できる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
複数の増幅回路を多段接続して構成される電力増幅回路を有する半導体装置であって、 前記複数の増幅回路の初段から最終段は、シリコンからなる同一の半導体基板上に形成され、 前記複数の増幅回路は電界効果トランジスタから構成され、 前記電界効果トランジスタのドレイン電極およびソース電極は、それぞれ前記半導体基板の主面および裏面に形成され、 複数の前記電界効果トランジスタの各ソース電極は前記半導体基板の裏面で電気的に接続され、 前記ソース電極は固定電位に接続され、 前記シリコンからなる前記半導体基板の抵抗率が10mΩ・cmより小さいことを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H03F 3/24 ,  H03F 3/68
FI (6件)：
H01L27/08 102B ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/04 H ,  H01L27/04 F ,  H03F3/24 ,  H03F3/68 Z
Fターム (58件)：
5F038AC05 ,  5F038AZ01 ,  5F038AZ04 ,  5F038BB05 ,  5F038BE07 ,  5F038BH10 ,  5F038BH19 ,  5F038CA02 ,  5F038CA10 ,  5F038CD18 ,  5F038DF02 ,  5F038EZ20 ,  5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048AC06 ,  5F048AC10 ,  5F048BA02 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BC03 ,  5F048BC05 ,  5F048BC12 ,  5F048BD06 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F048BF18 ,  5F048BH05 ,  5J500AA01 ,  5J500AA41 ,  5J500AC21 ,  5J500AC92 ,  5J500AF16 ,  5J500AH10 ,  5J500AH25 ,  5J500AH29 ,  5J500AH33 ,  5J500AH38 ,  5J500AK00 ,  5J500AK12 ,  5J500AK29 ,  5J500AK41 ,  5J500AK42 ,  5J500AK53 ,  5J500AK55 ,  5J500AK61 ,  5J500AK68 ,  5J500AM08 ,  5J500AM21 ,  5J500AQ02 ,  5J500AQ03 ,  5J500AS14 ,  5J500AT01 ,  5J500AT02 ,  5J500CK06 ,  5J500NG03 ,  5J500NN17 ,  5J500WU08
引用特許：
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM