特許
J-GLOBAL ID：202003006107347595

配線構造

発明者：
篠嶋 妥

篠嶋 妥 について

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ヤズダン ザーレ

ヤズダン ザーレ について

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大貫 仁

大貫 仁 について


出願人/特許権者：
国立大学法人茨城大学

国立大学法人茨城大学 について


代理人 (3件)： 堀 城之 ,  前島 幸彦 ,  村上 大勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-205406
公開番号（公開出願番号）：特開2020-072184
出願日： 2018年10月31日
公開日（公表日）： 2020年05月07日
要約：
【課題】シリコン基板中に配線層が埋め込まれて構成された配線構造において、熱サイクルの際の配線層が塑性変形して突出することを抑制する。【解決手段】このためには、熱サイクルに際しての配線層に加わる最大応力を小さくして配線層の塑性変形の抑制をするようにバリア層を設定することが有効である。具体的には、バリア層としてヤング率の小さな材料を用いることが好ましい。このような材料として、有機材料がある。図6は、バリア層をこの有機材料(厚さ0.5μm)の単層構造とした場合(1)、ならびに有機材料層の内側もしくは外側あるいは両側に硬質膜を配置して多層構造とした場合(2〜4)と、Tiで構成されたバリア層を用いた場合(0)における、温度サイクル(1サイクル)を印加した場合の温度と配線層の突出量の関係を計算した結果である。この結果より、この有機材料をバリア層として用いた場合には、配線層の塑性変形が抑制されるために、熱サイクル印加後の突出量P1をほぼ零とすることができる。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
シリコン(Si)を主成分とし、孔部が形成された基板と、 前記孔部の中に埋め込まれて形成され、銅(Cu)を主成分として構成された配線層と、 前記孔部の深さ方向に沿った内面と前記配線層との間に形成され、ヤング率が1GPa以下、かつポアソン比が0.40以下である軟質バリア層と、 を具備することを特徴とする配線構造。
IPC (5件)：
H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 23/532 ,  H01L 23/14
FI (4件)：
H01L21/88 J ,  H01L21/90 N ,  H01L21/90 S ,  H01L23/14 S
Fターム (13件)：
5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033MM01 ,  5F033MM30 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ48 ,  5F033TT07 ,  5F033WW00 ,  5F033XX19
引用特許：
審査官引用 (4件)
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