特許
J-GLOBAL ID:202003006119612740
基板処理方法および基板処理装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人あい特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-124746
公開番号(公開出願番号):特開2020-004908
出願日: 2018年06月29日
公開日(公表日): 2020年01月09日
要約:
【課題】基板の処理に要するエネルギーの消費量を減らしながら、基板の乾燥時に発生するパターンの倒壊率を低下させる。【解決手段】凝固体形成物質と溶解物質とを含み、凝固体形成物質の凝固点よりも低い凝固点を有する乾燥前処理液を基板Wの表面に供給する。その後、基板W上の乾燥前処理液の一部を固化させることにより、凝固体形成物質を含む凝固体101を乾燥前処理液中に形成する。その後、凝固体101を基板Wの表面に残しながら、基板W上の乾燥前処理液を除去する。その後、基板Wの表面に残った凝固体101を気体に変化させることにより基板の表面から除去する。【選択図】図5B
請求項(抜粋):
凝固体を形成する凝固体形成物質と、前記凝固体形成物質と溶け合う溶解物質と、を含み、前記凝固体形成物質の凝固点よりも低い凝固点を有する乾燥前処理液を基板の表面に供給する乾燥前処理液供給工程と、
前記基板の表面上の前記乾燥前処理液の一部を固化させることにより、前記凝固体形成物質を含む前記凝固体を前記乾燥前処理液中に形成する凝固体形成工程と、
前記凝固体を前記基板の表面に残しながら、前記基板の表面上の前記乾燥前処理液を除去する液体除去工程と、
前記基板の表面に残った前記凝固体を気体に変化させることにより前記基板の表面から除去する固体除去工程と、を含む、基板処理方法。
IPC (2件):
FI (6件):
H01L21/304 651L
, H01L21/304 643A
, H01L21/304 651B
, H01L21/304 651M
, H01L21/304 645C
, F26B5/16
Fターム (41件):
3L113AA03
, 3L113AA04
, 3L113AC19
, 3L113AC23
, 3L113AC28
, 3L113AC43
, 3L113AC45
, 3L113AC46
, 3L113AC48
, 3L113AC76
, 3L113AC83
, 3L113BA34
, 3L113DA02
, 3L113DA24
, 5F157AA09
, 5F157AB02
, 5F157AB14
, 5F157AB33
, 5F157AB90
, 5F157AC03
, 5F157AC26
, 5F157BB23
, 5F157BG32
, 5F157BG33
, 5F157BH18
, 5F157BH19
, 5F157CB03
, 5F157CB13
, 5F157CB14
, 5F157CB15
, 5F157CB22
, 5F157CB29
, 5F157CE52
, 5F157CE61
, 5F157CE72
, 5F157CE73
, 5F157CE76
, 5F157CF22
, 5F157CF40
, 5F157DA21
, 5F157DB33
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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