特許
J-GLOBAL ID：202003006182246060

n型ドーパントでドープされた<100>方位を有するシリコンの単結晶、およびそのような単結晶の製造方法

発明者：
ラミンク,ゲオルク

ラミンク,ゲオルク について

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ストックマイヤー,ルートビヒ

ストックマイヤー,ルートビヒ について

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フリードリヒ,ヨッヒェン

フリードリヒ,ヨッヒェン について

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ダニエル,マティアス

ダニエル,マティアス について

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ミラー,アルフレート

ミラー,アルフレート について


出願人/特許権者：
ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト

ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト について


代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-512371
公開番号（公開出願番号）：特表2020-531401
出願日： 2018年08月28日
公開日（公表日）： 2020年11月05日
要約：
本発明は、<100>方位を有するシリコン単結晶、および<100>方位を有するシリコン単結晶を製造するための方法に関する。単結晶は、n型ドーパントでドープされ、開始コーン部、円柱部分、および終了コーン部を含み、開始コーン部の長さの50%以上の長さを有する、開始コーン部の中間部分の結晶角度は、20°以上30°以下であり、縁部ファセットが、単結晶の縁部から単結晶内に延び、縁部ファセットは、単結晶の開始コーン部および円柱部分において、各々、700μm以下の長さを有する。
請求項（抜粋）：
<100>方位を有するシリコンの単結晶であって、n型ドーパントでドープされ、開始コーン部、円柱部分、および終了コーン部を含み、前記開始コーン部の長さの50%以上の長さを有する、前記開始コーン部の中間部分の結晶角度は、20°以上30°以下であり、縁部ファセットが、前記単結晶の周縁部から前記単結晶内に延び、前記縁部ファセットは、前記単結晶の前記開始コーン部および前記円柱部分において、各々、700μm以下の長さを有する、シリコンの単結晶。
IPC (3件)：
C30B 29/06 ,  C30B 33/00 ,  C30B 15/20
FI (5件)：
C30B29/06 502Z ,  C30B29/06 502H ,  C30B29/06 502J ,  C30B33/00 ,  C30B15/20
Fターム (15件)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB06 ,  4G077AB10 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EB05 ,  4G077EH09 ,  4G077FE11 ,  4G077FE18 ,  4G077FG13 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077PA10 ,  4G077PF55
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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