特許

J-GLOBAL ID：202003007728234375

光半導体素子の製造方法、サセプタおよびその製造方法

発明者： 小西 尚子 ,  八木 英樹
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-138725
公開番号（公開出願番号）：特開2020-017601
出願日： 2018年07月24日
公開日（公表日）： 2020年01月30日
要約：

【課題】小片の位置を最適化可能で、かつ汚染の抑制が可能な光半導体素子の製造方法、サセプタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】第1化合物半導体基板の上に複数の化合物半導体層を積層する工程と、前記第1化合物半導体基板を分割することで、前記第1化合物半導体基板から小片を形成する工程と、サセプタの開口部に前記小片を配置する工程と、シリコンを含む第1基板に導波路メサを形成する工程と、前記サセプタと前記第1基板とを対向させ、前記小片と前記第1基板とを接合する工程と、を有する光半導体素子の製造方法。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

第1化合物半導体基板の上に複数の化合物半導体層を積層する工程と、 前記第1化合物半導体基板を分割することで、前記第1化合物半導体基板から小片を形成する工程と、 サセプタの開口部に前記小片を配置する工程と、 シリコンを含む第1基板に導波路メサを形成する工程と、 前記サセプタと前記第1基板とを対向させ、前記小片と前記第1基板とを接合する工程と、を有する光半導体素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01S 5/026 ,  G02F 1/025

FI (2件)：

H01S5/026 618 ,  G02F1/025

Fターム (26件)：

2K102AA17 ,  2K102BA01 ,  2K102BB01 ,  2K102BB04 ,  2K102BC05 ,  2K102CA28 ,  2K102DA05 ,  2K102DB05 ,  2K102DD03 ,  2K102EB20 ,  2K102EB28 ,  5F173AB32 ,  5F173AD12 ,  5F173AD16 ,  5F173AD19 ,  5F173AD30 ,  5F173AG05 ,  5F173AH14 ,  5F173AP05 ,  5F173AP09 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AP45 ,  5F173AQ03 ,  5F173AR92 ,  5F173AR99

引用特許：

出願人引用 (4件)

• チップ転写方法および該装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-563524   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• ハイブリッド光デバイスの組み立て方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-042362   出願人：アルカテル・アルストム・コンパニイ・ジエネラル・デレクトリシテ
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-064529   出願人：住友電気工業株式会社
• 薄膜個片の接合方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-209773   出願人：住友電気工業株式会社